GaN-auf-SiC-Substrat

Semicorex-Graphitsuszeptor, der speziell für Epitaxiegeräte mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit in China entwickelt wurde. Unsere GaN-auf-SiC-Substrat-Suszeptoren haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

Waferträger mit GaN-auf-SiC-Substrat, die in Dünnfilmabscheidungsphasen oder bei der Waferhandhabung verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und einer aggressiven chemischen Reinigung standhalten. Semicorex liefert hochreine SiC-beschichtete GaN-auf-SiC-Substrat-Suszeptoren, die eine hervorragende Wärmebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine gleichmäßige Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit bieten. Die feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, was für die Handhabung von entscheidender Bedeutung ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Stellen über ihre gesamte Fläche berühren.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser GaN-auf-SiC-Substrat-Suszeptor hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

Parameter des GaN-auf-SiC-Substratsuszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des GaN-auf-SiC-Substratsuszeptors

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.