GaN-auf-SiC-Substrat
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GaN-auf-SiC-Substrat

Semicorex-Graphit-Suszeptor, der speziell für Epitaxiegeräte mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit in China entwickelt wurde. Unsere GaN-auf-SiC-Substrat-Suszeptoren haben einen guten Preisvorteil und decken viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

GaN-auf-SiC-Substratwaferträger, die in Dünnschichtabscheidungsphasen oder bei der Waferhandhabungsverarbeitung verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und einer harten chemischen Reinigung standhalten. Semicorex liefert einen hochreinen SiC-beschichteten GaN-auf-SiC-Substratsuszeptor, der eine hervorragende Wärmebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine konsistente Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit bietet. Eine feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, die für die Handhabung entscheidend ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Punkten über ihre gesamte Fläche berühren.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser GaN-auf-SiC-Substrat-Suszeptor hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.


Parameter des GaN-auf-SiC-Substratsuszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des GaN-auf-SiC-Substratsuszeptors

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.





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