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Siliziumkarbid-Epitaxie-Suszeptor
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Siliziumkarbid-Epitaxie-Suszeptor

Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von Siliziumkarbid-Epitaxie-Suszeptoren in China. Wir konzentrieren uns auf Halbleiterindustrien wie Siliziumkarbidschichten und Epitaxiehalbleiter. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex bietet SiC-Beschichtungsverfahren durch CVD-Verfahren auf der Oberfläche von Graphit, Keramik und anderen Materialien, wie z Oberfläche der beschichteten Materialien, Bildung einer SIC-Schutzschicht. Das gebildete SIC ist fest mit der Graphitbasis verbunden, was der Graphitbasis besondere Eigenschaften verleiht, wodurch die Oberfläche des Graphits kompakt, porenfrei, hochtemperaturbeständig, korrosionsbeständig und oxidationsbeständig wird.
Unser Siliziumkarbid-Epitaxie-Suszeptor wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Siliziumkarbid-Epitaxie-Suszeptor zu erfahren.


Parameter des Siliziumkarbid-Epitaxie-Suszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des Siliziumkarbid-Epitaxie-Suszeptors

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.
- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.
- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.
- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.
- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.




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