Teile der zweiten Hälfte für untere Leitbleche im Epitaxieverfahren

Die Teile der zweiten Hälfte für untere Leitbleche im Epitaxieprozess zeichnen sich durch eine charakteristische halbzylindrische Form aus, die strategisch so gestaltet ist, dass der Gasfluss innerhalb des Epitaxiereaktors optimiert wird. Diese aus hochwertigem Graphit mit CVD-SiC-Beschichtung gefertigten Teile garantieren außergewöhnliche Haltbarkeit und thermische Stabilität. Sie sind so konstruiert, dass sie den Anforderungen der Halbleiterfertigung standhalten und tragen zur Langlebigkeit und Zuverlässigkeit Ihrer Geräte bei.
Die Komponenten sind aufwendig gestaltet, um den Gasfluss zu optimieren und eine effiziente Verteilung und Abscheidung von Materialien während des epitaktischen Wachstumsprozesses zu gewährleisten. Dies führt zu einer überlegenen Schichtqualität auf Halbleiterwafern.

Anwendungen:

Maßgeschneidert für Epitaxie-Reaktoren in der Halbleiterfertigung.

Kritische Komponenten für das Erreichen eines präzisen und gleichmäßigen epitaktischen Wachstums.

Erweitern Sie Ihre Halbleiterfertigungskapazitäten mit unseren Second-Half-Teilen für untere Leitbleche im Epitaxieverfahren. Vertrauen Sie auf die Innovation und Zuverlässigkeit unserer halbzylindrischen Komponenten, die für eine längere Haltbarkeit mit CVD-SiC beschichtet sind. Bleiben Sie mit diesen fortschrittlichen Ausstattungen an der Spitze der Halbleitertechnologie und sorgen Sie für optimale Leistung und gleichbleibende Qualität der Epitaxieschicht. Wählen Sie Teile der zweiten Hälfte für untere Leitbleche im Epitaxieverfahren – wo Präzision auf Fortschritt trifft.