SiC-MOCVD-Innensegment

Das SiC-MOCVD-Innensegment von Semicorex ist auf Leistung und Zuverlässigkeit ausgelegt und stellt eine entscheidende Komponente für den anspruchsvollen Prozess der SiC-Epitaxie dar. Durch die Nutzung hochreiner Materialien und fortschrittlicher Fertigungstechniken ermöglicht das SiC-MOCVD-Innensegment das Wachstum hochwertiger SiC-Epischichten, die für die Leistungselektronik der nächsten Generation und andere fortschrittliche Halbleiteranwendungen unerlässlich sind:

Materialvorteile:

Das SiC-MOCVD-Innensegment besteht aus einer robusten und leistungsstarken Materialkombination:

Ultrahochreines Graphitsubstrat (Aschegehalt < 5 ppm):Das Graphitsubstrat bietet eine starke Grundlage für das Decksegment. Sein außergewöhnlich niedriger Aschegehalt minimiert das Kontaminationsrisiko und gewährleistet die Reinheit der SiC-Epischichten während des Wachstumsprozesses.

Hochreine CVD-SiC-Beschichtung (Reinheit ≥ 99,99995 %):Mithilfe eines CVD-Verfahrens (Chemical Vapour Deposition) wird eine gleichmäßige, hochreine SiC-Beschichtung auf das Graphitsubstrat aufgetragen. Diese SiC-Schicht bietet eine hervorragende Beständigkeit gegenüber den bei der SiC-Epitaxie verwendeten reaktiven Vorläufern, verhindert unerwünschte Reaktionen und sorgt für Langzeitstabilität.

Manche Andere CVD-SiC-MOCVD-Teile Semicorex Supplies  

Leistungsvorteile in MOCVD-Umgebungen:

Außergewöhnliche Hochtemperaturstabilität:Die Kombination aus hochreinem Graphit und CVD-SiC bietet eine hervorragende Stabilität bei den erhöhten Temperaturen, die für die SiC-Epitaxie erforderlich sind (typischerweise über 1500 °C). Dadurch wird eine gleichbleibende Leistung gewährleistet und ein Verziehen oder Verformen bei längerem Gebrauch verhindert.

Widerstand gegen aggressive Vorläufer:Das SiC-MOCVD-Innensegment weist eine hervorragende chemische Beständigkeit gegenüber den aggressiven Vorläufern wie Silan (SiH4) und Trimethylaluminium (TMAl) auf, die üblicherweise in SiC-MOCVD-Prozessen verwendet werden. Dadurch wird Korrosion verhindert und die dauerhafte Integrität des Abdecksegments sichergestellt.

Geringe Partikelerzeugung:Die glatte, porenfreie Oberfläche des SiC-MOCVD-Innensegments minimiert die Partikelbildung während des MOCVD-Prozesses. Dies ist entscheidend für die Aufrechterhaltung einer sauberen Prozessumgebung und die Erzielung qualitativ hochwertiger SiC-Epischichten ohne Fehler.

Verbesserte Wafer-Gleichmäßigkeit:Die gleichmäßigen thermischen Eigenschaften des SiC-MOCVD-Innensegments tragen in Kombination mit seiner Verformungsbeständigkeit zu einer verbesserten Temperaturgleichmäßigkeit über den gesamten Wafer während der Epitaxie bei. Dies führt zu einem homogeneren Wachstum und einer verbesserten Gleichmäßigkeit der SiC-Epischichten.

Erweiterte Lebensdauer:Die robusten Materialeigenschaften und die hervorragende Beständigkeit gegenüber rauen Prozessbedingungen führen zu einer verlängerten Lebensdauer des Semicorex SiC MOCVD-Innensegments. Dies reduziert die Häufigkeit des Austauschs, minimiert Ausfallzeiten und senkt die Gesamtbetriebskosten.