SiC-Gasverteilerplatte

Bei Halbleiterepitaxieprozessen ist die Gleichmäßigkeit des Gasflusses einer der kritischsten Faktoren für die Filmqualität, die Dickenkonsistenz und die Waferausbeute. Die SiC-Gasverteilungsplatte, oft auch als Showerhead-Platte bezeichnet, wurde speziell entwickelt, um Prozessgase gleichmäßig über die Waferoberfläche zu verteilen und gleichzeitig die Stabilität unter extremen Prozessbedingungen aufrechtzuerhalten.

Semicorex SiC-Gasverteilungsplatten sind für Hochtemperatur-Silizium-Epitaxie-Reaktoren konzipiert, die über 1400 °C betrieben werden. Hergestellt aus hochreinen isotropen Graphitsubstraten und geschützt durch eine dichteSiliziumkarbidbeschichtung durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD).Diese Komponenten bieten außergewöhnliche Korrosionsbeständigkeit, Kontaminationskontrolle und langfristige Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Halbleiterumgebungen.

CVD-SiC-Beschichtungstechnologie

Der Hauptvorteil der SiC-Gasverteilerplatte liegt in ihrer fortschrittlichen Beschichtungstechnologie.

Mithilfe eines CVD-Verfahrens (Chemical Vapour Deposition) wird eine hochreine Siliziumkarbidschicht auf der Oberfläche von isotropem Graphit abgeschieden. Diese Beschichtung bildet eine dichte und äußerst gleichmäßige Schutzbarriere, die die Bauteilleistung unter aggressiven Prozessbedingungen deutlich verbessert.

Zu den typischen Beschichtungseigenschaften gehören:

Schichtdicke: ca. 100 μm

Einstellbarer Dickenbereich: 40–200 μm

Hohe Beschichtungsdichte

Hervorragende Gleichmäßigkeit der Dicke

Starke Haftung auf Graphitsubstrat

Ultrahochreine Oberfläche

Die CVD-SiC-Schicht isoliert das Graphitbasismaterial effektiv von reaktiven Prozessgasen und verbessert so die Korrosionsbeständigkeit und die Betriebslebensdauer erheblich.

Schutz des Graphitsubstrats

Aufgrund seiner hervorragenden thermischen Eigenschaften und seiner Fähigkeit, extremen Temperaturen standzuhalten, wird Graphit häufig in Epitaxiegeräten verwendet. Allerdings ist ungeschützter Graphit bei langfristiger Einwirkung von Prozessgasen anfällig für Erosion und chemische Angriffe.

Beim Abbau von Graphit können Partikel entstehen, die die Wafer verunreinigen und sich negativ auf die Geräteausbeute auswirken.

Die CVD-SiC-Beschichtung erfüllt mehrere Schutzfunktionen:

Verhindert den direkten Kontakt von Graphit mit reaktiven Gasen

Reduziert die Partikelbildung

Verbessert die Beständigkeit gegen chemisches Ätzen

Verlängert die Lebensdauer der Komponenten

Sorgt für die Sauberkeit der Kammer

Dieser Schutz wird in der modernen Halbleiterfertigung immer wichtiger, wo selbst mikroskopische Verunreinigungen die Produktqualität beeinträchtigen können.

Präzisionsfertigung und kundenspezifische Anpassung

Semicorex stellt SiC-Gasverteilungsplatten unter strenger Kontrolle der Maßtoleranzen, der Gleichmäßigkeit der Beschichtung und der Lochgeometrie her.

Zu den Anpassungsoptionen gehören:

8-Zoll-Reaktorplattformen

12-Zoll-Reaktorplattformen

Kundenspezifische Durchmesser

Individuelle Lochmuster

Anwendungsspezifische Gasverteilungsdesigns

Variable Anforderungen an die Schichtdicke

Spezielle Montagefunktionen

Diese Flexibilität ermöglicht eine Optimierung für unterschiedliche Reaktorarchitekturen und Prozessbedingungen.

Anwendungen

SiC-Gasverteilerplatten werden häufig verwendet in:

• Silizium-Epitaxiesysteme
• Halbleiter-CVD-Reaktoren
• Hochtemperatur-Abscheidungsausrüstung
• Fortschrittliche Wafer-Verarbeitungssysteme
• Herstellung von Leistungshalbleitern
• Herstellung von Verbindungshalbleitern

Ihre Fähigkeit, Gasflusskontrolle mit Kontaminationsbeständigkeit zu kombinieren, macht sie zu einer entscheidenden Komponente in der modernen Halbleiterfertigung.