Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen SiC-Epitaxie anbieten. Und wir bieten Ihnen den besten Kundendienst und eine pünktliche Lieferung. Semicorex liefert CVD-Siliziumkarbid-beschichtete Graphit-Suszeptoren zur Unterstützung von Wafern. Ihre mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Graphitkonstruktion bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit, eine gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine gleichmäßige Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit. Die feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, was für die Handhabung von entscheidender Bedeutung ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Stellen über ihre gesamte Fläche berühren.
Semicorex stellt seinen SiC-Scheibensuszeptor vor, der die Leistung von Geräten für Epitaxie, metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) und schnelle thermische Verarbeitung (RTP) steigern soll. Der sorgfältig konstruierte SiC-Scheibensuszeptor verfügt über Eigenschaften, die überlegene Leistung, Haltbarkeit und Effizienz in Hochtemperatur- und Vakuumumgebungen garantieren.**
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex SiC ALD Susceptor bietet zahlreiche Vorteile in ALD-Prozessen, darunter Hochtemperaturstabilität, verbesserte Filmgleichmäßigkeit und -qualität, verbesserte Prozesseffizienz und längere Suszeptorlebensdauer. Diese Vorteile machen den SiC-ALD-Suszeptor zu einem wertvollen Werkzeug für die Erzielung leistungsstarker Dünnfilme in verschiedenen anspruchsvollen Anwendungen.**
WeiterlesenAnfrage absendenDer Semicorex ALD Planetary Susceptor ist in ALD-Geräten wichtig, da er rauen Verarbeitungsbedingungen standhält und eine qualitativ hochwertige Filmabscheidung für eine Vielzahl von Anwendungen gewährleistet. Da die Nachfrage nach fortschrittlichen Halbleiterbauelementen mit kleineren Abmessungen und verbesserter Leistung weiter wächst, wird erwartet, dass der Einsatz des ALD Planetary Susceptor in ALD weiter zunehmen wird.**
WeiterlesenAnfrage absendenDer MOCVD-Epitaxie-Suszeptor von Semicorex hat sich als entscheidende Komponente in der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD)-Epitaxie erwiesen und ermöglicht die Herstellung von Hochleistungs-Halbleiterbauelementen mit außergewöhnlicher Effizienz und Präzision. Aufgrund seiner einzigartigen Kombination von Materialeigenschaften eignet es sich perfekt für die anspruchsvollen thermischen und chemischen Umgebungen, die beim epitaktischen Wachstum von Verbindungshalbleitern auftreten.**
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex SiC Multi Pocket Susceptor stellt eine entscheidende Basistechnologie für das epitaktische Wachstum hochwertiger Halbleiterwafer dar. Diese Suszeptoren werden durch einen hochentwickelten CVD-Prozess (Chemical Vapour Deposition) hergestellt und bieten eine robuste und leistungsstarke Plattform zur Erzielung einer außergewöhnlichen Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht und Prozesseffizienz.**
WeiterlesenAnfrage absendenDie umfangreichen Eigenschaften der Semicorex SiC-beschichteten Epitaxiescheibe machen sie zu einem unverzichtbaren Bestandteil in der Halbleiterfertigung, wo Präzision, Haltbarkeit und Robustheit der Ausrüstung für den Erfolg von High-Tech-Halbleitergeräten von größter Bedeutung sind. Wir bei Semicorex widmen uns der Herstellung und Lieferung leistungsstarker SiC-beschichteter Epitaxiescheiben, die Qualität mit Kosteneffizienz verbinden.**
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