SiC-beschichtete epitaktische Suszeptoren

Semicorex SiC-beschichtete epitaktische Suszeptoren sind die wesentlichen Komponenten, die im epitaktischen Wachstumsprozess von Halbleitern verwendet werden, um die Halbleiterwafer stabil zu stützen und zu fixieren. Durch den Einsatz ausgereifter Fertigungskapazitäten und modernster Produktionstechnologien ist Semicorex bestrebt, unseren geschätzten Kunden marktführende Qualität und wettbewerbsfähige Preise für SiC-beschichtete Epitaxie-Suszeptoren zu liefern.

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Produktbeschreibung

HalbleiterSubstrateAufgrund der Auswirkungen mehrerer kritischer Faktoren, einschließlich der Gasströmungsrichtung (horizontal und vertikal), der Temperatur, des Drucks, der Substratfixierung und der Partikelverunreinigung, können sie während der epitaktischen Abscheidung nicht direkt auf der Basis in MOCVD- oder CVD-Geräten platziert werden. Aus diesem Grund müssen die epitaktischen Suszeptoren in der Mitte der Reaktionskammer in MOCVD/CVD-Systemen positioniert werden, um Halbleitersubstrate zu stützen und zu sichern und so eine Verschlechterung der epitaktischen Wachstumsqualität durch Vibration oder Positionsverschiebung zu verhindern.

Als Matrixmaterial für Semicorex wird hochreiner Graphit verwendetSiC-beschichtete epitaktische Suszeptoren, wobei die Siliziumkarbidbeschichtung durch fortschrittliche CVD-Techniken auf ihrer Oberfläche abgeschieden wird. Semicorex SiC-beschichtete Epitaxie-Suszeptoren sind die unverzichtbaren Komponenten im Epitaxieschichtbildungsprozess. Ihre Hauptaufgabe besteht darin, eine stabile und kontrollierbare Betriebsumgebung für das Wachstum epitaktischer Schichten auf Halbleitersubstraten bereitzustellen, wodurch die Konsistenz der Waferoberflächenqualität sichergestellt werden kann.

Die Eigenschaften von Semicorex SiC-beschichteten epitaktischen Suszeptoren

1. Hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit, um Betriebsbedingungen von 1600 °C standzuhalten.

2.Hohe Wärmeleitfähigkeit, die eine schnelle Wärmeübertragung ermöglicht, um eine gleichmäßige Temperaturverteilung auf den Halbleitersubstraten aufrechtzuerhalten.

3. Starke chemische Korrosionsbeständigkeit, um chemischem Abbau und Korrosion zu widerstehen und Prozessverunreinigungen von Substraten und Epitaxieschichten zu vermeiden.

4. Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit, um das Auftreten von Rissen und Delaminierungen in der Beschichtung zu vermeiden.

5. Außergewöhnliche Ebenheit der Oberfläche, passt sich genau an Substrate an und minimiert Lücken und Defekte.

6. Längere Lebensdauer, wodurch Zeit und wirtschaftliche Verluste durch den Austausch und die Wartung von Teilen reduziert werden.

Die Anwendungen von Semicorex SiC-beschichteten epitaktischen Suszeptoren

Mit zahlreichen hervorragenden Vorteilen spielen SiC-beschichtete epitaktische Suszeptoren von Semicorex eine entscheidende Rolle bei der Erleichterung des gleichmäßigen und kontrollierbaren Wachstums epitaktischer dünner Filme und werden häufig im epitaktischen Wachstumsprozess von Halbleitern eingesetzt.

1.GaN-Epitaxiewachstum

2. SiC-Epitaxiewachstum

3.Si epitaktisches Wachstum