Als professioneller Hersteller möchten wir Ihnen SiC-Epitaxie anbieten. Und wir bieten Ihnen den besten Kundendienst und eine pünktliche Lieferung. Semicorex liefert CVD-Siliziumkarbid-beschichtete Graphit-Suszeptoren zur Unterstützung von Wafern. Ihre mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Graphitkonstruktion bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit, eine gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine gleichmäßige Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit. Die feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, was für die Handhabung von entscheidender Bedeutung ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Stellen über ihre gesamte Fläche berühren.
Der MOCVD-Epitaxie-Suszeptor von Semicorex hat sich als entscheidende Komponente in der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD)-Epitaxie erwiesen und ermöglicht die Herstellung von Hochleistungs-Halbleiterbauelementen mit außergewöhnlicher Effizienz und Präzision. Aufgrund seiner einzigartigen Kombination von Materialeigenschaften eignet es sich perfekt für die anspruchsvollen thermischen und chemischen Umgebungen, die beim epitaktischen Wachstum von Verbindungshalbleitern auftreten.**
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex SiC Multi Pocket Susceptor stellt eine entscheidende Basistechnologie für das epitaktische Wachstum hochwertiger Halbleiterwafer dar. Diese Suszeptoren werden durch einen hochentwickelten CVD-Prozess (Chemical Vapour Deposition) hergestellt und bieten eine robuste und leistungsstarke Plattform zur Erzielung einer außergewöhnlichen Gleichmäßigkeit der Epitaxieschicht und Prozesseffizienz.**
WeiterlesenAnfrage absendenDie umfangreichen Eigenschaften der Semicorex SiC-beschichteten Epitaxiescheibe machen sie zu einem unverzichtbaren Bestandteil in der Halbleiterfertigung, wo Präzision, Haltbarkeit und Robustheit der Ausrüstung für den Erfolg von High-Tech-Halbleitergeräten von größter Bedeutung sind. Wir bei Semicorex widmen uns der Herstellung und Lieferung leistungsstarker SiC-beschichteter Epitaxiescheiben, die Qualität mit Kosteneffizienz verbinden.**
WeiterlesenAnfrage absendenDer mit Semicorex SiC beschichtete Stützring ist eine wesentliche Komponente für den epitaktischen Wachstumsprozess von Halbleitern. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
WeiterlesenAnfrage absendenDer SiC-beschichtete Ring von Semicorex ist eine entscheidende Komponente im epitaktischen Wachstumsprozess von Halbleitern und wurde entwickelt, um den anspruchsvollen Anforderungen der modernen Halbleiterfertigung gerecht zu werden. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
WeiterlesenAnfrage absendenDer Semicorex GaN Epitaxy Carrier ist von zentraler Bedeutung in der Halbleiterfertigung und integriert fortschrittliche Materialien und Präzisionstechnik. Dieser Träger zeichnet sich durch seine CVD-SiC-Beschichtung aus und bietet außergewöhnliche Haltbarkeit, thermische Effizienz und Schutzfunktionen, wodurch er sich in der Branche als herausragend erweist. Wir bei Semicorex widmen uns der Herstellung und Lieferung leistungsstarker GaN-Epitaxieträger, die Qualität mit Kosteneffizienz verbinden.
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