Semicorex Upper Half Moon ist ein halbkreisförmiger sic-beschichteter Graphit-Wafer-Senszene, der für die Verwendung in epitaxialen Reaktoren entwickelt wurde. Wählen Sie Semicorex für branchenführende Materialreinheit, Präzisionsbearbeitung und einheitliche SIC-Beschichtung, die eine lang anhaltende Leistung und die überlegene Waferqualität gewährleistet.*
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex 8-Zoll-Waferhalterringe sind so konzipiert, dass sie eine präzise Waferfixierung und eine außergewöhnliche Leistung in aggressiven thermischen und chemischen Umgebungen bieten. Semicorex liefert anwendungsspezifische technische, enge dimensionale Kontrolle und konsistente SIC-Beschichtungsqualität, um den strengen Anforderungen der fortgeschrittenen Verarbeitung fortgeschrittener Semiconductor gerecht zu werden.*
WeiterlesenAnfrage absendenDie Semikorex -Satellitenplatte ist eine kritische Komponente, die in Semiconductor -Epitaxy -Reaktoren verwendet wird, die speziell für Aixtron G5+ -Aufätigkeit ausgelegt sind. Semicorex kombiniert fortschrittliches materielles Know-how mit modernster Beschichtungstechnologie, um zuverlässige Hochleistungslösungen zu liefern, die auf anspruchsvolle industrielle Anwendungen zugeschnitten sind.**
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex Planetary Susceceptor ist eine hochreinbare Graphitkomponente mit einer SIC-Beschichtung, die für Aixtron G5+ -Reaktoren ausgelegt ist, um eine gleichmäßige Wärmeverteilung, chemische Resistenz und epitaxiale Schichtwachstum mit hoher Präzision zu gewährleisten.**
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex SIC Coating Flat-Teil ist eine SIC-beschichtete Graphitkomponente, die für eine gleichmäßige Luftstromleitung im SIC-Epitaxieprozess von wesentlicher Bedeutung ist. Semicorex liefert präzisionsmotorierte Lösungen mit unübertroffener Qualität und sorgt für eine optimale Leistung für die Herstellung von Halbleiter.*
WeiterlesenAnfrage absendenDie SiC-Beschichtungskomponente von Semicorex ist ein unverzichtbares Material, das die anspruchsvollen Anforderungen des SiC-Epitaxieprozesses erfüllt, einem entscheidenden Schritt in der Halbleiterfertigung. Es spielt eine entscheidende Rolle bei der Optimierung der Wachstumsumgebung für Siliziumkarbid-Kristalle (SiC) und trägt erheblich zur Qualität und Leistung des Endprodukts bei.*
WeiterlesenAnfrage absenden