SiC-Epi-Wafer-Suszeptoren

Sie können keine Wide Bandgap (WBG)-Halbleiter herstellen – die für die Revolution von Elektrofahrzeugen (EVs) und 5G unerlässlich sind –, ohne die idealen Materialeigenschaften durch epitaktisches Wachstum festzulegen. Semicorex-SiC-Epi-Wafer-Suszeptoren wurden für den Einsatz als Grundlage (thermisch/strukturell) für die SiC- und GaN-Epitaxie entwickelt. Die Kombination ausisostatischer Graphit(hervorragende Wärmeleitfähigkeit) mit chemisch aufgedampftem (CVD) Siliziumkarbid (extreme chemische Beständigkeit) ergibt einen Prozesssatz, der größtmögliche Ausbeute und Wiederholbarkeit ermöglicht.

Entwicklung der „perfekten“ thermischen Umgebung

Um angemessene epitaktische Wachstumstemperaturen (über 1.500 °C) in einer Atmosphäre zu erreichen, die mit reaktiven und korrosiven Vorläufergasen gesättigt ist, würde ein herkömmlicher Graphitträger bei der Einwirkung zersetzt werden und daher den Wafer verunreinigen. Die von Semicorex entwickelten SiC-Epi-Wafer-Suszeptoren haben jedoch durch fortschrittliche Materialintegration eine Lösung gefunden, um dem Epitaxieprozess eine stabile Basis für Tausende von Prozessstunden zu bieten.

1. Überlegene thermische Gleichmäßigkeit

Die Hauptaufgabe eines Suszeptors besteht darin, als Wärmeverteiler zu fungieren. Unser hochreiner isostatischer Graphitkern sorgt für ein gleichmäßiges Wärmefeld über die gesamte Waferoberfläche. Dies minimiert „Hot Spots“, die zu Schwankungen in der Dicke der Epi-Schicht und der Dotierungskonzentration führen. In der Welt der Leistungselektronik, wo die RDS(on)-Konsistenz entscheidend ist, liefern unsere Suszeptoren die thermische Präzision, die für eine Gleichmäßigkeit im Submikrometerbereich erforderlich ist.

2. Hermetische CVD-SiC-Einkapselung

Wir nutzen ein hochmodernes CVD-Verfahren, um eine dichte, hochreine Siliziumkarbid-Beschichtung aufzutragen. Diese Schicht ist nicht nur eine Abdeckung; es ist eine hermetische Versiegelung.

Partikelunterdrückung: Die Beschichtung verhindert, dass das Graphitsubstrat „staubt“ oder Verunreinigungen wie Bor oder Metallspuren in die Reaktionskammer ausgast.

Chemische Inertheit: UnsereSiC-Beschichtungist unempfindlich gegenüber Ätzen mit H2, HCl und Ammoniak (NH3), die in MOCVD- und SiC-Epitaxiereaktoren üblich sind.

3. Präzise CTE-Anpassung

Eine der häufigsten Fehlerquellen bei beschichteter Hardware ist die Delaminierung aufgrund thermischer Wechselwirkungen. Wir wählen speziell Graphitsorten mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) aus, der perfekt mit dem Wärmeausdehnungskoeffizienten synchronisiert istSiC-Beschichtung. Diese „Ausdehnungsharmonie“ ermöglicht es den SiC-Epi-Wafer-Suszeptoren, schnelle Hoch- und Rücklaufzyklen ohne Rissbildung oder Abblättern zu überstehen, wodurch die Lebensdauer der Komponente im Vergleich zu branchenüblichen Alternativen um bis zu 300 % verlängert wird.

Optimiert für globale Reaktorplattformen

Unser Ingenieurteam verfügt über umfangreiche Erfahrung in der Entwicklung von Suszeptoren für horizontale und vertikale Reaktorkonfigurationen. Wir bieten Drop-in-Ersatzteile und maßgeschneiderte Lösungen für die branchenführenden OEM-Systeme (einschließlich AIXTRON-, Veeco- und Tokyo Electron-Plattformen).

Ob Sie einen Planetenreaktor oder ein Einzelwafer-Gerät betreiben, unsere Suszeptoren sind optimiert für:

Gasströmungsdynamik:Präzise gefertigte Taschen sorgen für eine laminare Strömung über den Wafer.

Waferrotation:Optimiertes Gewichts-Reibungs-Verhältnis für stabile Hochgeschwindigkeitsrotation während des Wachstums.

Automatisierte Handhabung:Verstärkte Kanten, um den mechanischen Belastungen beim Roboter-Wafer-Transfer standzuhalten.