Galliumnitrid (GaN) ist ein wichtiges Material in der Halbleitertechnologie, das für seine außergewöhnlichen elektronischen und optischen Eigenschaften bekannt ist. GaN hat als Halbleiter mit großer Bandlücke eine Bandlückenenergie von etwa 3,4 eV und ist damit ideal für Hochleistungs- und Hochfrequ......
WeiterlesenKristallwachstumsöfen aus Siliziumkarbid (SiC) sind der Grundstein für die Herstellung von SiC-Wafern. SiC-Öfen weisen zwar Ähnlichkeiten mit herkömmlichen Siliziumkristall-Züchtungsöfen auf, stehen jedoch aufgrund der extremen Wachstumsbedingungen des Materials und der komplexen Defektbildungsmecha......
WeiterlesenGraphit ist für die Herstellung von Halbleitern aus Siliziumkarbid (SiC) von entscheidender Bedeutung, die für ihre außergewöhnlichen thermischen und elektrischen Eigenschaften bekannt sind. Dies macht SiC ideal für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen. Bei der Herstellung von......
WeiterlesenDie Halbleitertechnologie ist das Rückgrat der modernen Zivilisation und hat die Art und Weise, wie wir leben, arbeiten und mit der Welt interagieren, grundlegend verändert. Es hat beispiellose Fortschritte in verschiedenen Bereichen ermöglicht, darunter Informationstechnologie, Energie, Telekommuni......
WeiterlesenDie Halbleiterfertigung, der Eckpfeiler des modernen technologischen Fortschritts, ist ständig auf der Suche nach kleineren, schnelleren und effizienteren integrierten Schaltkreisen. Dieses unermüdliche Streben treibt den Bedarf an immer präziseren und ausgefeilteren Herstellungsprozessen voran, bei......
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