Bei der Halbleiterherstellung wird der Wafer bei der Oxidation in eine Hochtemperaturumgebung gebracht, in der Sauerstoff über die Waferoberfläche strömt und eine Oxidschicht bildet. Dies schützt den Wafer vor chemischen Verunreinigungen, verhindert das Eindringen von Leckströmen in die Schaltkreise......
WeiterlesenQuarz gehört zum trigonalen Kristallsystem, einem dreidimensionalen Gerüstmineralkristall aus Siliziumdioxid. Normalerweise ist reiner Quarz farblos und transparent, nimmt jedoch durch Spuren von Pigmentionen, fein verteilte Einschlüsse oder die Bildung von Farbzentren verschiedene Farbtöne an. Aufg......
WeiterlesenSiC-Material besteht nicht aus einem einzigen Tetraeder aus einem Si-Atom und einem C-Atom, sondern aus unzähligen Si- und C-Atomen. Eine große Anzahl von Si- und C-Atomen bilden wellenförmige Doppelatomschichten (eine Schicht aus C-Atomen und eine Schicht aus Si-Atomen), und zahlreiche Doppelatomsc......
WeiterlesenDie Herstellung und Verarbeitung hochwertiger Siliziumkarbid-Substrate ist mit äußerst hohen technischen Hürden verbunden. Im gesamten Prozess bestehen zahlreiche Herausforderungen, von der Rohmaterialvorbereitung bis zur Herstellung des fertigen Produkts, was zu einem entscheidenden Faktor geworden......
WeiterlesenCarbon-Keramik-Bremsscheiben sind leistungsstarke Bremslösungen, die präzise aus kohlenstofffaserverstärkten Verbundwerkstoffen auf Siliziumkarbidbasis hergestellt werden und deren technische Ursprünge bis in die Flugzeugbremstechnik der 1970er Jahre zurückreichen. Kohlenstoff-Keramik-Bremsscheiben ......
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