Die Kernparameter beim Trockenätzen

Trockenätzen ist eine Haupttechnologie in den Herstellungsprozessen mikroelektromechanischer Systeme. Die Leistung des Trockenätzprozesses hat einen direkten Einfluss auf die strukturelle Präzision und die Betriebsleistung von Halbleiterbauelementen. Um den Ätzprozess präzise zu steuern, müssen die folgenden zentralen Bewertungsparameter genau beachtet werden.

1.Etch Rete

Die Ätzrate bezieht sich auf die Dicke des pro Zeiteinheit geätzten Materials (Einheiten: nm/min oder μm/min). Sein Wert wirkt sich direkt auf die Ätzeffizienz aus und eine niedrige Ätzrate verlängert den Produktionszyklus. Es ist zu beachten, dass Geräteparameter, Materialeigenschaften und Ätzfläche alle die Ätzrate beeinflussen.

2. Selektivität

Das Seitenverhältnis ist, wie der Name schon sagt, das Verhältnis der Ätztiefe zur Öffnungsweite. Seitenverhältnisstrukturen sind eine Kernanforderung für 3D-Geräte in MEMS und müssen durch Gasverhältnis- und Leistungssteuerung optimiert werden, um eine Verschlechterung der Grundfrequenz zu vermeiden.

3. Einheitlichkeit

Unter Gleichmäßigkeit innerhalb des Wafers versteht man die Geschwindigkeitskonsistenz an verschiedenen Stellen innerhalb desselben Wafers, was zu Maßabweichungen bei Halbleiterbauelementen führt. Unter Wafer-zu-Wafer-Gleichmäßigkeit versteht man die Geschwindigkeitskonsistenz zwischen verschiedenen Wafern, was zu Genauigkeitsschwankungen von Charge zu Charge führen kann.

4. Kritische Dimension

Die kritische Dimension bezieht sich auf die geometrischen Parameter von Mikrostrukturen wie Linienbreite, Grabenbreite und Lochdurchmesser.

5. Seitenverhältnis

Das Seitenverhältnis ist, wie der Name schon sagt, das Verhältnis der Ätztiefe zur Öffnungsweite. Seitenverhältnisstrukturen sind eine Kernanforderung für 3D-Geräte in MEMS und müssen durch Gasverhältnis- und Leistungssteuerung optimiert werden, um eine Verschlechterung der Grundfrequenz zu vermeiden.

6. Ätzschaden

Ätzschäden wie Überätzung, Unterätzung und Seitenätzung können die Maßhaltigkeit beeinträchtigen (z. B. Abweichung des Elektrodenabstands, Verengung der Ausleger).

7.Ladeeffekt

Der Ladeeffekt bezieht sich auf das Phänomen, dass sich die Ätzrate nichtlinear mit Variablen wie der Fläche und Linienbreite des geätzten Musters ändert. Mit anderen Worten: Unterschiedliche geätzte Bereiche oder Linienbreiten führen zu Unterschieden in der Rate oder Morphologie.

4. Kritische DimensionSiC-beschichtetUndTaC-beschichtetGraphitlösungen für Ätzprozesse in der Halbleiterfertigung. Wenn Sie Fragen haben oder weitere Informationen benötigen, zögern Sie bitte nicht, Kontakt mit uns aufzunehmen.

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