Die Siliziumkarbid (SiC)-Epitaxie ist eine Schlüsseltechnologie auf dem Gebiet der Halbleiter, insbesondere für die Entwicklung elektronischer Hochleistungsgeräte. SiC ist ein Verbindungshalbleiter mit einer großen Bandlücke, was ihn ideal für Anwendungen macht, die einen Hochtemperatur- und Hochspa......
WeiterlesenHalbleiter sind Materialien, die elektrische Eigenschaften zwischen Leitern und Isolatoren lenken, mit gleicher Wahrscheinlichkeit von Verlust und Aufnahme von Elektronen in der äußersten Schicht des Atomkerns, und lassen sich leicht zu PN-Übergängen verarbeiten. Wie "Silizium (Si)", "Germanium (Ge)......
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