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Branchen-News

Glühen

Das Tempern nach der Ionenimplantation ist ein wichtiger Schritt bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, der sich auf die Leistung und Zuverlässigkeit des Bauelements auswirkt.

AlN-Kristallwachstum durch PVT-Methode

Die dritte Generation von Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, darunter Galliumnitrid (GaN), Siliziumkarbid (SiC) und Aluminiumnitrid (AlN), weist hervorragende elektrische, thermische und akusto-optische Eigenschaften auf. Diese Materialien beseitigen die Einschränkungen der ersten und zweit......

Selektive Ätztechnologie für SiGe und Si

Ein entscheidender Schritt bei der Herstellung von GAAFETs vom n-Typ ist das hochselektive Ätzen von SiGe:Si-Stapeln vor der Abscheidung innerer Abstandshalter, wodurch Silizium-Nanoschichten erzeugt und Kanäle freigesetzt werden.

SiGe in der Chipherstellung: Ein professioneller Nachrichtenbericht

Um den Anforderungen an hohe Leistung und geringen Stromverbrauch im Bereich der modernen Halbleitertechnologie gerecht zu werden, hat sich SiGe (Siliziumgermanium) aufgrund seiner einzigartigen physikalischen und elektrischen Eigenschaften als Verbundmaterial der Wahl für die Herstellung von Halble......

Die Einheit im Halbleiter: Angström

Als Längeneinheit ist Angström (Å) in der Herstellung integrierter Schaltkreise allgegenwärtig. Von der präzisen Steuerung der Materialdicke bis hin zur Miniaturisierung und Optimierung der Gerätegröße ist das Verständnis und die Anwendung der Angström-Skala von zentraler Bedeutung, um die kontinuie......

Fast 840 Millionen US-Dollar: Onsemi erwirbt ein SiC-Unternehmen

Heute gab Onsemi auf seiner offiziellen Website bekannt, dass es mit Qorvo eine Vereinbarung zur Übernahme des SiC-JFET-Technologiegeschäfts und der Tochtergesellschaft von Qorvo getroffen hat.

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