Im Front-End-Verfahren (FEOL) der Semiconductor-Herstellung muss der Wafer verschiedenen Prozessbehandlungen unterzogen werden, insbesondere der Wafer muss auf eine bestimmte Temperatur erhitzt werden, und es gibt strenge Anforderungen, da die Einheitlichkeit der Temperatur einen sehr wichtigen Einf......
WeiterlesenSIC (Silicon Carbide) verfügt als breites Bandgap-Halbleitermaterial in der dritten Generation über hervorragende physikalische und elektrische Eigenschaften, wodurch es auf dem Gebiet der Kraft-Halbleiter-Geräte von Power Semiconductor umfassende Anwendungsaussichten aufweist.
WeiterlesenHalbleiter -Keramikteile gehören zur fortschrittlichen Keramik und sind ein unverzichtbarer Bestandteil des Halbleiterherstellungsprozesses. Die Rohstoffe für die Herstellung sind in der Regel hochpurige, ultra-feiner anorganische Materialien wie Aluminiumoxid, Siliziumcarbid, Aluminiumnitrid, Siliz......
WeiterlesenAls Kernmaterial der Halbleiter der dritten Generation spielt Siliciumcarbid (SIC) eine zunehmend wichtige Rolle in High-Tech-Feldern wie neuen Energiefahrzeugen, Photovoltaik-Energiespeicherung und 5G-Kommunikation aufgrund seiner hervorragenden physikalischen Eigenschaften.
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