Infineon stellt den weltweit ersten 300-mm-Power-GaN-Wafer vor

Kürzlich gab Infineon Technologies die erfolgreiche Entwicklung der weltweit ersten 300-mm-Power-Galliumnitrid-Wafer-Technologie (GaN) bekannt. Damit sind sie das erste Unternehmen, das diese bahnbrechende Technologie beherrscht und die Massenproduktion in bestehenden großen Produktionsumgebungen mit hoher Kapazität realisiert. Diese Innovation stellt einen bedeutenden Fortschritt auf dem GaN-basierten Leistungshalbleitermarkt dar.

Wie schneidet die 300-mm-Technologie im Vergleich zur 200-mm-Technologie ab?

Im Vergleich zur 200-mm-Technologie ermöglicht der Einsatz von 300-mm-Wafern die Produktion von 2,3-mal mehr GaN-Chips pro Wafer, was die Produktionseffizienz und den Output erheblich steigert. Dieser Durchbruch festigt nicht nur Infineons Führungsposition im Bereich Energiesysteme, sondern beschleunigt auch die rasante Entwicklung der GaN-Technologie.

Was sagte der CEO von Infineon zu dieser Leistung?

Jochen Hanebeck, CEO von Infineon Technologies, erklärte: „Diese bemerkenswerte Leistung zeigt unsere starke Innovationskraft und ist ein Beweis für den unermüdlichen Einsatz unseres globalen Teams.“ Wir sind fest davon überzeugt, dass dieser technologische Durchbruch die Branchennormen neu gestalten und das volle Potenzial der GaN-Technologie freisetzen wird. Fast ein Jahr nach unserer Übernahme von GaN Systems stellen wir erneut unsere Entschlossenheit unter Beweis, im schnell wachsenden GaN-Markt führend zu sein. Als führendes Unternehmen im Bereich Energiesysteme hat sich Infineon einen Wettbewerbsvorteil bei drei Schlüsselmaterialien verschafft: Silizium, Siliziumkarbid und GaN.“

Jochen Hanebeck, CEO von Infineon, hält einen der weltweit ersten 300-mm-GaN-Power-Wafer, die in einer bestehenden und skalierbaren Großserienfertigungsumgebung hergestellt wurden

Warum ist die 300-mm-GaN-Technologie vorteilhaft?

Ein wesentlicher Vorteil der 300-mm-GaN-Technologie besteht darin, dass sie mit vorhandenen 300-mm-Siliziumfertigungsanlagen hergestellt werden kann, da GaN und Silizium Ähnlichkeiten in den Herstellungsprozessen aufweisen. Diese Funktion ermöglicht es Infineon, die GaN-Technologie nahtlos in seine aktuellen Produktionssysteme zu integrieren und so die Einführung und Anwendung der Technologie zu beschleunigen.

Wo hat Infineon erfolgreich 300-mm-GaN-Wafer hergestellt?

Derzeit hat Infineon in seinem Kraftwerk in Villach, Österreich, erfolgreich 300-mm-GaN-Wafer auf den bestehenden 300-mm-Siliziumproduktionslinien hergestellt. Aufbauend auf der etablierten Grundlage der 200-mm-GaN-Technologie und der 300-mm-Siliziumproduktion hat das Unternehmen seine Technologie- und Produktionskapazitäten weiter ausgebaut.

What Does This Breakthrough Mean for the Future?

Dieser Durchbruch unterstreicht nicht nur die Stärken von Infineon in den Bereichen Innovation und Großserienproduktion, sondern legt auch eine solide Grundlage für die zukünftige Entwicklung der Leistungshalbleiterindustrie. Während sich die GaN-Technologie weiterentwickelt, wird Infineon weiterhin das Marktwachstum vorantreiben und seine Führungsposition in der globalen Halbleiterindustrie weiter ausbauen.**