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Siliziumwafer

Siliziummaterial ist ein festes Material mit bestimmten elektrischen Halbleitereigenschaften und physikalischer Stabilität und bietet Substratunterstützung für den nachfolgenden Herstellungsprozess integrierter Schaltkreise. Es ist ein Schlüsselmaterial für siliziumbasierte integrierte Schaltkreise.......

SiC-Boote vs. Quarzboote: Aktuelle Nutzung und zukünftige Trends in der Halbleiterfertigung

Dieser Artikel befasst sich mit der Verwendung und der zukünftigen Entwicklung von Siliziumkarbid-Schiffen (SiC) im Vergleich zu Quarz-Schiffen in der Halbleiterindustrie und konzentriert sich dabei insbesondere auf deren Anwendungen in der Solarzellenherstellung.

SiC-Schneiden

Siliziumkarbid (SiC) erfreut sich in der Halbleiterindustrie aufgrund seiner hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften großer Beliebtheit. Allerdings stellen die hohe Härte und Sprödigkeit von SiC erhebliche Herausforderungen an die Verarbeitung.

Galliumnitrid-Epitaxiewafer: Eine Einführung in den Herstellungsprozess

Das epitaktische Waferwachstum mit Galliumnitrid (GaN) ist ein komplexer Prozess, bei dem häufig eine zweistufige Methode zum Einsatz kommt. Dieses Verfahren umfasst mehrere kritische Schritte, darunter Hochtemperaturbacken, Pufferschichtwachstum, Rekristallisation und Glühen. Durch die sorgfältige ......

Was ist der Unterschied zwischen epitaktischen und diffusen Wafern?

Sowohl epitaktische als auch diffundierte Wafer sind wesentliche Materialien in der Halbleiterfertigung, unterscheiden sich jedoch erheblich in ihren Herstellungsprozessen und Zielanwendungen. Dieser Artikel befasst sich mit den wichtigsten Unterschieden zwischen diesen Wafertypen.

Prozessablauf für Siliziumkarbid-Substratkerne

Siliziumkarbidsubstrat ist ein Verbindungshalbleiter-Einkristallmaterial, das aus zwei Elementen besteht: Kohlenstoff und Silizium. Es zeichnet sich durch eine große Bandlücke, eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine hohe kritische Durchschlagsfeldstärke und eine hohe Elektronensättigungsdriftrate aus.

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