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PECVD-Prozess

Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) ist eine weit verbreitete Technologie in der Chipherstellung. Es nutzt die kinetische Energie von Elektronen im Plasma, um chemische Reaktionen in der Gasphase zu aktivieren und so eine Dünnschichtabscheidung zu erreichen.

Fehlererkennung bei der Verarbeitung von Siliziumkarbid-Wafern

SiC-Substrate sind die wichtigste Komponente in der Siliziumkarbidindustrie und machen fast 50 % ihres Wertes aus. Ohne SiC-Substrate ist die Herstellung von SiC-Geräten nicht möglich, weshalb sie die wesentliche Materialgrundlage darstellen.

Was ist ein Dummy-Wafer?

Ein Dummy-Wafer ist ein spezieller Wafer, der hauptsächlich zum Füllen von Maschinenausrüstung während des Wafer-Herstellungsprozesses verwendet wird.

Anwendung von GaN

Es gibt viele Arten von Galliumnitrid (GaN), wobei GaN auf Siliziumbasis am häufigsten diskutiert wird. Bei dieser Technologie werden GaN-Materialien direkt auf einem Siliziumsubstrat gezüchtet.

SK Siltron erweitert seine SiC-Waferproduktion mit einem Darlehen des US-Energieministeriums in Höhe von 544 Millionen US-Dollar

Das US-Energieministerium (DOE) hat kürzlich ein Darlehen in Höhe von 544 Millionen US-Dollar an SK Siltron, einen Halbleiterwaferhersteller der SK Group, bestätigt.

Welche Anwendungen gibt es für SiC- und TaC-Beschichtungen im Halbleiterbereich?

Halbleiter sind Materialien, deren elektrische Leitfähigkeit bei Raumtemperatur zwischen der von Isolatoren und Leitern liegt. Durch das Einbringen von Verunreinigungen, einem sogenannten Dotieren, können diese Materialien zu Leitern werden.

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