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Prozess des Dünnschichtwachstums

Gängige Dünnfilme werden hauptsächlich in drei Kategorien unterteilt: Halbleiterdünnfilme, dielektrische Dünnfilme und Metall/Metallverbindungsdünnfilme.

Heteroepitaxie von 3C-SiC: Ein Überblick

Die Entwicklung von 3C-SiC, einem bedeutenden Polytyp von Siliziumkarbid, spiegelt den kontinuierlichen Fortschritt der Halbleitermaterialwissenschaft wider. In den 1980er Jahren haben Nishino et al. erzielten erstmals einen 4 μm dicken 3C-SiC-Film auf einem Siliziumsubstrat durch chemische Gasphase......

Hochreines CVD-Dick-SiC: Prozesseinblicke für Materialwachstum

Dicke, hochreine Siliziumkarbidschichten (SiC), die typischerweise mehr als 1 mm betragen, sind kritische Komponenten in verschiedenen hochwertigen Anwendungen, einschließlich der Halbleiterfertigung und der Luft- und Raumfahrttechnik. Dieser Artikel befasst sich mit dem Verfahren der chemischen Gas......

Monokristallines Silizium vs. polykristallines Silizium

Einkristallines Silizium und polykristallines Silizium haben jeweils ihre eigenen einzigartigen Vorteile und Anwendungsszenarien. Einkristallines Silizium eignet sich aufgrund seiner hervorragenden elektrischen und mechanischen Eigenschaften für leistungsstarke elektronische Produkte und Mikroelektr......

Substrat und Epitaxie

Im Prozess der Wafervorbereitung gibt es zwei Kernglieder: Zum einen die Vorbereitung des Substrats und zum anderen die Durchführung des Epitaxieprozesses. Das Substrat, ein Wafer, der sorgfältig aus Halbleiter-Einkristallmaterial hergestellt wird, kann direkt in den Wafer-Herstellungsprozess als Gr......

Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) verstehen: Ein umfassender Überblick

Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist eine vielseitige Dünnschichtabscheidungstechnik, die in der Halbleiterindustrie häufig zur Herstellung hochwertiger, konformer Dünnschichten auf verschiedenen Substraten eingesetzt wird. Dieser Prozess beinhaltet chemische Reaktionen gasförmiger Vorläufer......

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