Homoepitaxie und Heteroepitaxie spielen in der Materialwissenschaft eine zentrale Rolle. Bei der Homoepitaxie wird eine kristalline Schicht auf einem Substrat aus demselben Material wachsen gelassen, wodurch aufgrund der perfekten Gitteranpassung minimale Defekte gewährleistet werden. Im Gegensatz d......
WeiterlesenUm die hohen Qualitätsanforderungen von IC-Chip-Schaltkreisprozessen mit Linienbreiten von weniger als 0,13 μm bis 28 nm für Siliziumpolierwafer mit 300 mm Durchmesser zu erfüllen, ist es wichtig, die Kontamination durch Verunreinigungen, wie z. B. Metallionen, auf der Waferoberfläche zu minimieren.
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