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Warum Ultraschallreinigung in der Halbleiterfertigung einsetzen?

Beim Reinigen von Wafern werden üblicherweise Ultraschallreinigung und Megaschallreinigung eingesetzt, um Partikel von der Waferoberfläche zu entfernen.

Wie wird Siliziumkarbidkeramik eingesetzt und wie sieht ihre Zukunft in Bezug auf Verschleiß- und Hochtemperaturbeständigkeit aus?

Siliziumkarbidkeramik (SiC), die für ihre hohe Festigkeit, Härte, Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Hochtemperaturstabilität bekannt ist, hat seit ihrer Einführung in zahlreichen Industriezweigen ein enormes Potenzial und einen enormen Wert bewiesen.

Die Studie zur Verteilung des elektrischen Widerstands in 4H-SiC-Kristallen vom n-Typ

4H-SiC ist als Halbleitermaterial der dritten Generation für seine große Bandlücke, hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende chemische und thermische Stabilität bekannt, was es für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen äußerst wertvoll macht.

Was ist ein Kristallwachstumsofensystem?

Der Einkristall-Züchtungsofen besteht aus sechs Schlüsselsystemen, die harmonisch zusammenarbeiten, um ein effizientes und qualitativ hochwertiges Kristallwachstum zu gewährleisten.

Infineon stellt den weltweit ersten 300-mm-Power-GaN-Wafer vor

Kürzlich gab Infineon Technologies die erfolgreiche Entwicklung der weltweit ersten 300-mm-Power-Galliumnitrid-Wafer-Technologie (GaN) bekannt.

Herstellung von monokristallinem Silizium

Die drei Hauptmethoden, die bei der Herstellung von monokristallinem Silizium verwendet werden, sind die Czochralski-Methode (CZ), die Kyropoulos-Methode und die Float-Zone-Methode (FZ).

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