> Nachricht

Nachricht

Die entscheidende Rolle von SiC-Substraten und Kristallwachstum in der Halbleiterindustrie

Innerhalb der Siliziumkarbid-Industriekette (SiC) haben Substratlieferanten einen erheblichen Einfluss, vor allem aufgrund der Wertverteilung. SiC-Substrate machen 47 % des Gesamtwerts aus, gefolgt von Epitaxieschichten mit 23 %, während Gerätedesign und -herstellung die restlichen 30 % ausmachen. D......

Anwendung von SiC und GaN in Elektrofahrzeugen

SiC-MOSFETs sind Transistoren, die eine hohe Leistungsdichte, einen verbesserten Wirkungsgrad und niedrige Ausfallraten bei hohen Temperaturen bieten. Diese Vorteile von SiC-MOSFETs bringen zahlreiche Vorteile für Elektrofahrzeuge (EVs), einschließlich einer größeren Reichweite, schnellerem Laden un......

Halbleiter der 4. Generation Galliumoxid/β-Ga2O3

Die erste Generation von Halbleitermaterialien besteht hauptsächlich aus Silizium (Si) und Germanium (Ge), deren Aufstieg in den 1950er Jahren begann. Germanium war in der Anfangszeit vorherrschend und wurde hauptsächlich in Niederspannungs-, Niederfrequenz- und Mittelleistungstransistoren und Fotod......

Defektfreies epitaktisches Wachstum und Fehlanpassungsversetzungen

Defektfreies epitaktisches Wachstum tritt auf, wenn ein Kristallgitter nahezu identische Gitterkonstanten aufweist wie ein anderes. Wachstum findet statt, wenn die Gitterplätze der beiden Gitter im Grenzflächenbereich ungefähr übereinstimmen, was bei einer kleinen Gitterfehlanpassung (weniger als 0,......

Oxidationsprozess

Der grundlegendste Schritt aller Prozesse ist der Oxidationsprozess. Beim Oxidationsprozess wird der Siliziumwafer für eine Hochtemperatur-Wärmebehandlung (800–1200 °C) in eine Atmosphäre aus Oxidationsmitteln wie Sauerstoff oder Wasserdampf gebracht. Auf der Oberfläche des Siliziumwafers kommt es z......

Warum wächst die Epitaxie von Galliumnitrid (GaN) nicht auf einem GaN-Substrat?

Das Wachstum der GaN-Epitaxie auf einem GaN-Substrat stellt trotz der im Vergleich zu Silizium überlegenen Eigenschaften des Materials eine einzigartige Herausforderung dar. Die GaN-Epitaxie bietet erhebliche Vorteile hinsichtlich der Bandlückenbreite, der Wärmeleitfähigkeit und des elektrischen Dur......

<...9 10 11 12 13...30 >