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Synthese von hochreinem Siliziumkarbidpulver

Hochreines Siliziumkarbidpulver verfügt über außergewöhnlich große Bandlückeneigenschaften, die es zu einem idealen Material für die Herstellung elektronischer Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte machen.

Fast 840 Millionen US-Dollar: Onsemi erwirbt ein SiC-Unternehmen

Heute gab Onsemi auf seiner offiziellen Website bekannt, dass es mit Qorvo eine Vereinbarung zur Übernahme des SiC-JFET-Technologiegeschäfts und der Tochtergesellschaft von Qorvo getroffen hat.

Was ist der Unterschied zwischen Graphitisierung und Karbonisierung?

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass sowohl die Graphitierung als auch die Karbonisierung industrielle Prozesse sind, bei denen Kohlenstoff entweder als Reaktant oder als Produkt beteiligt ist. Unter Karbonisierung versteht man den Prozess der Umwandlung organischer Stoffe in Kohlenstoff, während ......

Ätzprozessparameter

Das Ätzen ist ein entscheidender Schritt bei der Chipherstellung und dient der Erzeugung winziger Schaltkreisstrukturen auf Siliziumwafern.

Die Verschmelzung von KI und Physik: CVD-technologische Innovation hinter dem Nobelpreis

Die jüngste Bekanntgabe des Nobelpreises für Physik 2024 hat dem Bereich der künstlichen Intelligenz beispiellose Aufmerksamkeit verschafft.

Verfahren zur Dotierung von Halbleitern

Eine der einzigartigen Eigenschaften von Halbleitermaterialien besteht darin, dass ihre Leitfähigkeit sowie ihr Leitfähigkeitstyp (N-Typ oder P-Typ) durch einen als Dotierung bezeichneten Prozess erzeugt und gesteuert werden können. Dabei werden spezielle Verunreinigungen, sogenannte Dotierstoffe, i......

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