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MOCVD-Satellitenhalteplatte

MOCVD-Satellitenhalteplatte

Die Semicorex MOCVD-Satellitenhalterplatte ist ein hervorragender Träger, der für den Einsatz in der Halbleiterindustrie entwickelt wurde. Seine hohe Reinheit, ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit und sein gleichmäßiges thermisches Profil machen es zu einer ausgezeichneten Wahl für diejenigen, die einen Träger suchen, der den Anforderungen des Halbleiterherstellungsprozesses standhalten kann. Wir sind bestrebt, unseren Kunden qualitativ hochwertige Produkte anzubieten, die ihren spezifischen Anforderungen entsprechen. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unsere MOCVD-Satellitenhalterplatte zu erfahren und wie wir Ihnen bei Ihren Anforderungen in der Halbleiterfertigung helfen können.

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Produktbeschreibung

Semicorex MOCVD Satellite Holder Plate ist ein hochwertiger Träger, der für den Einsatz in der Halbleiterindustrie entwickelt wurde. Unser Produkt ist mit einem hochreinen Siliziumkarbid auf Graphit beschichtet, wodurch es bei hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C sehr oxidationsbeständig ist. Das bei seiner Herstellung verwendete CVD-CVD-Verfahren gewährleistet eine hohe Reinheit und hervorragende Korrosionsbeständigkeit, wodurch es ideal für den Einsatz in Reinraumumgebungen geeignet ist.
Die Eigenschaften unserer MOCVD-Satellitenhalterplatte sind beeindruckend. Seine dichte Oberfläche und die feinen Partikel verbessern seine Korrosionsbeständigkeit und machen es beständig gegen Säuren, Laugen, Salz und organische Reagenzien. Dieser Träger ist selbst in extremen Umgebungen äußerst stabil und somit eine ausgezeichnete Wahl für diejenigen, die einen Träger suchen, der den Anforderungen der Halbleiterindustrie standhalten kann.


Parameter der MOCVD-Satellitenhalterplatte

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des SiC-beschichteten Graphitsuszeptors für MOCVD

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen




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