MOCVD-Satellitenhalterplatte

Die Semicorex MOCVD-Satellitenhalterplatte ist ein hervorragender Träger, der für den Einsatz in der Halbleiterindustrie entwickelt wurde. Seine hohe Reinheit, ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit und sein gleichmäßiges thermisches Profil machen es zu einer ausgezeichneten Wahl für alle, die einen Träger suchen, der den Anforderungen des Halbleiterherstellungsprozesses standhält. Wir sind bestrebt, unseren Kunden qualitativ hochwertige Produkte zu liefern, die ihren spezifischen Anforderungen entsprechen. Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unsere MOCVD-Satellitenhalterplatte zu erfahren und wie wir Sie bei Ihren Halbleiterfertigungsanforderungen unterstützen können.

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Produktbeschreibung

Die Semicorex MOCVD-Satellitenhalterplatte ist ein hochwertiger Träger, der für den Einsatz in der Halbleiterindustrie entwickelt wurde. Unser Produkt ist mit einem hochreinen Siliziumkarbid auf Graphit beschichtet und dadurch äußerst beständig gegen Oxidation bei hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C. Das bei seiner Herstellung verwendete CVD-Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung gewährleistet eine hohe Reinheit und ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit und macht es ideal für den Einsatz in Reinraumumgebungen.
Die Eigenschaften unserer MOCVD-Satellitenhalterplatte sind beeindruckend. Seine dichte Oberfläche und die feinen Partikel erhöhen die Korrosionsbeständigkeit und machen es beständig gegen Säuren, Laugen, Salze und organische Reagenzien. Dieser Träger ist selbst in extremen Umgebungen äußerst stabil und daher eine ausgezeichnete Wahl für diejenigen, die einen Träger suchen, der den Anforderungen der Halbleiterindustrie standhält.

Parameter der MOCVD-Satellitenhalterplatte

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des SiC-beschichteten Graphitsuszeptors für MOCVD

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist
Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis 1600 °C
Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen