Epitaxie-Waferträger

Applikationen:Der von Semicorex entwickelte Epitaxy Wafer Carrier ist speziell für den Einsatz in verschiedenen fortschrittlichen Halbleiterherstellungsprozessen konzipiert. Diese Träger eignen sich hervorragend für Umgebungen wie:

Plasmaverstärkte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD):Bei PECVD-Prozessen ist der Epitaxie-Waferträger für die Handhabung der Substrate während des Dünnschichtabscheidungsprozesses von entscheidender Bedeutung und sorgt für eine gleichbleibende Qualität und Gleichmäßigkeit.

Silizium- und SiC-Epitaxie:Für Silizium- und SiC-Epitaxieanwendungen, bei denen dünne Schichten auf Substraten abgeschieden werden, um hochwertige kristalline Strukturen zu bilden, behält der Epitaxy Wafer Carrier seine Stabilität unter extremen thermischen Bedingungen bei.

Anlagen zur metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD):MOCVD-Einheiten werden für die Herstellung von Verbindungshalbleiterbauelementen wie LEDs und Leistungselektronik verwendet und erfordern Träger, die den hohen Temperaturen und aggressiven chemischen Umgebungen standhalten, die dem Prozess innewohnen.

Vorteile:

Stabile und gleichmäßige Leistung bei hohen Temperaturen:

Die Kombination aus isotropem Graphit und Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung sorgt für außergewöhnliche thermische Stabilität und Gleichmäßigkeit bei hohen Temperaturen. Der isotrope Graphit bietet konsistente Eigenschaften in alle Richtungen, was für die Gewährleistung einer zuverlässigen Leistung im Epitaxie-Wafer-Träger unter thermischer Belastung von entscheidender Bedeutung ist. Die SiC-Beschichtung trägt dazu bei, eine gleichmäßige Wärmeverteilung aufrechtzuerhalten, Hotspots zu verhindern und sicherzustellen, dass der Träger über längere Zeiträume zuverlässig funktioniert.

Verbesserte Korrosionsbeständigkeit und längere Lebensdauer der Komponenten:

Die SiC-Beschichtung mit ihrer kubischen Kristallstruktur führt zu einer hochdichten Beschichtungsschicht. Diese Struktur erhöht die Beständigkeit des Epitaxie-Waferträgers gegenüber korrosiven Gasen und Chemikalien, die typischerweise bei PECVD-, Epitaxie- und MOCVD-Prozessen auftreten, erheblich. Die dichte SiC-Beschichtung schützt das darunter liegende Graphitsubstrat vor Zersetzung, wodurch die Lebensdauer des Trägers verlängert und die Häufigkeit des Austauschs verringert wird.

Optimale Schichtdicke und Deckkraft:

Semicorex nutzt eine Beschichtungstechnologie, die eine standardmäßige SiC-Beschichtungsdicke von 80 bis 100 µm gewährleistet. Diese Dicke ist optimal, um ein Gleichgewicht zwischen mechanischem Schutz und Wärmeleitfähigkeit zu erreichen. Die Technologie stellt sicher, dass alle exponierten Bereiche, auch solche mit komplexen Geometrien, gleichmäßig beschichtet werden, sodass auch bei kleinen, komplizierten Merkmalen eine dichte und kontinuierliche Schutzschicht erhalten bleibt.

Hervorragende Haftung und Korrosionsschutz:

Durch die Infiltration der oberen Graphitschicht mit einer SiC-Beschichtung erreicht der Epitaxy Wafer Carrier eine außergewöhnliche Haftung zwischen dem Substrat und der Beschichtung. Dieses Verfahren stellt nicht nur sicher, dass die Beschichtung bei mechanischer Beanspruchung intakt bleibt, sondern erhöht auch den Korrosionsschutz. Die fest verbundene SiC-Schicht fungiert als Barriere und verhindert, dass reaktive Gase und Chemikalien den Graphitkern erreichen, wodurch die strukturelle Integrität des Trägers auch bei längerer Einwirkung rauer Verarbeitungsbedingungen erhalten bleibt.

Fähigkeit zur Beschichtung komplexer Geometrien:

Die von Semicorex eingesetzte fortschrittliche Beschichtungstechnologie ermöglicht das gleichmäßige Auftragen der SiC-Beschichtung auf komplexe Geometrien, wie z. B. kleine Sacklöcher mit Durchmessern von nur 1 mm und Tiefen von mehr als 5 mm. Diese Fähigkeit ist von entscheidender Bedeutung, um den umfassenden Schutz des Epitaxie-Wafer-Trägers zu gewährleisten, selbst in Bereichen, die traditionell schwierig zu beschichten sind, und verhindert so lokale Korrosion und Verschlechterung.

Hochreine und gut definierte SiC-Beschichtungsschnittstelle:

Bei der Bearbeitung von Wafern aus Silizium, Saphir, Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) und anderen Materialien ist die hohe Reinheit der SiC-Beschichtungsschnittstelle ein entscheidender Vorteil. Diese hochreine Beschichtung des Epitaxy Wafer Carrier verhindert Kontaminationen und erhält die Integrität der Wafer während der Hochtemperaturverarbeitung. Die genau definierte Grenzfläche gewährleistet eine maximale Wärmeleitfähigkeit und ermöglicht eine effiziente Wärmeübertragung durch die Beschichtung ohne nennenswerte thermische Barrieren.

Funktion als Diffusionsbarriere:

Die SiC-Beschichtung des Epitaxy Wafer Carrier dient zudem als wirksame Diffusionsbarriere. Es verhindert die Absorption und Desorption von Verunreinigungen aus dem darunter liegenden Graphitmaterial und sorgt so für eine saubere Verarbeitungsumgebung. Dies ist besonders wichtig bei der Halbleiterfertigung, wo selbst kleinste Mengen an Verunreinigungen die elektrischen Eigenschaften des Endprodukts erheblich beeinträchtigen können.