Wafer-Trägertablett

Semicorex bietet Keramik in Halbleiterqualität für Ihre OEM-Halbfabrikationswerkzeuge und Wafer-Handhabungskomponenten mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbidschichten in der Halbleiterindustrie. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Wafer Carrier Tray. Unser Wafer Carrier Tray hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex liefert nicht nur für Dünnschichtabscheidungsphasen wie Epitaxie oder MOCVD oder die Wafer-Handling-Verarbeitung ultrareine Keramikträger, die zur Unterstützung von Wafern verwendet werden. Das Herzstück des Prozesses, das Wafer-Trägertablett für das MOCVD, wird zunächst der Abscheidungsumgebung ausgesetzt, sodass es eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweist. Der mit SiC beschichtete Träger verfügt außerdem über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unser Wafer Carrier Tray zu erfahren.

Parameter des Wafer-Trägertabletts

Technische Eigenschaften
Index	Einheit	Wert
Materialname		Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid	Drucklos gesintertes Siliziumkarbid	Rekristallisiertes Siliziumkarbid
Zusammensetzung		RBSiC	SSiC	R-SiC
Schüttdichte	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Biegefestigkeit	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90–100 (1400 °C)
Druckfestigkeit	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Härte	Taste	2700	2800	/
Hartnäckigkeit brechen	MPa m1/2	4.5	4	/
Wärmeleitfähigkeit	W/m.k	95	120	23
Wärmeausdehnungskoeffizient	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Spezifische Wärme	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Maximale Temperatur in der Luft	℃	1200	1500	1600
Elastizitätsmodul	Gpa	360	410	240

Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:

1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll bei niedriger Temperatur freies Si in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC entsteht durch natürliche Schrumpfung bei 2100 Grad.

2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.

3. Unterschiedliche Nutzungsdauer bei unterschiedlichem pH-Wert und unterschiedlicher Temperatur, SSiC ist länger als RBSiC

Merkmale des Wafer-Trägertabletts

- CVD-Siliziumkarbid-Beschichtungen zur Verbesserung der Lebensdauer.
- Wärmedämmung aus hochleistungsgereinigtem Hartkohlenstoff.
- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.
- Hochreine Graphit- und SiC-Beschichtung für Pinhole-Resistenz und längere Lebensdauer

Verfügbare Formen von Siliziumkarbidkeramik:

● Keramikstab / Keramikstift / Keramikkolben

● Keramikrohr / Keramikbuchse / Keramikhülse

● Keramikring / Keramikscheibe / Keramikabstandshalter

● Keramikscheibe

● Keramikplatte / Keramikblock

● Keramikkugel

● Keramikkolben

● Keramikdüse

● Keramiktiegel

● Andere kundenspezifische Keramikteile