Wafer-Trägerschale

Semicorex bietet Keramik in Halbleiterqualität für Ihre OEM-Halbfabrikationswerkzeuge und Waferhandhabungskomponenten mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbidschichten in der Halbleiterindustrie. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Wafer Carrier Trays. Unser Wafer Carrier Tray hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Nicht nur für Dünnschichtabscheidungsphasen wie Epitaxie oder MOCVD oder die Verarbeitung von Wafern liefert Semicorex ultrareine Keramikträger zur Unterstützung von Wafern. Im Kern des Prozesses wird die Wafer-Trägerschale für die MOCVD zunächst der Abscheidungsumgebung ausgesetzt, sodass sie eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweist. Der SiC-beschichtete Träger hat auch eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unsere Wafer-Trägerschale zu erfahren.

Parameter der Wafer-Trägerschale

Technische Eigenschaften
Index	Einheit	Wert
Material Name		Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid	Drucklos gesintertes Siliziumkarbid	Rekristallisiertes Siliziumkarbid
Komposition		RBSiC	SSiC	R-SiC
Schüttdichte	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Biegefestigkeit	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
Druckfestigkeit	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Härte	Knoop	2700	2800	/
Hartnäckigkeit brechen	MPa·m1/2	4.5	4	/
Wärmeleitfähigkeit	W/m.k	95	120	23
Der Wärmeausdehnungskoeffizient	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Spezifische Wärme	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Maximale Temperatur in der Luft	℃	1200	1500	1600
Elastizitätsmodul	Gpa	360	410	240

Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:

1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll freies Si bei niedriger Temperatur in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC wird durch natürliches Schrumpfen bei 2100 Grad gebildet.

2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.

3. Unterschiedliche Nutzungszeiten bei unterschiedlichen pH-Werten und Temperaturen, SSiC ist länger als RBSiC

Merkmale der Wafer-Trägerschale

- CVD-Siliziumkarbidbeschichtungen zur Verbesserung der Lebensdauer.
- Wärmeisolierung aus hochleistungsfähigem, gereinigtem Hartkohlenstoff.
- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.
- Hochreiner Graphit und SiC-Beschichtung für Pinhole-Resistenz und längere Lebensdauer

Verfügbare Formen von Siliziumkarbid-Keramik

â Keramikstab / Keramikstift / Keramikkolben

â Keramikrohr / Keramikbuchse / Keramikhülse

â Keramikring / Keramikscheibe / Keramikabstandshalter

â Keramikscheibe

â Keramikplatte / Keramikblock

â Keramikkugel

â Keramikkolben

â Keramikdüse

â Keramiktiegel

â Andere kundenspezifische Keramikteile