Wafer-Träger-Halbleiter

Semicorex bietet Keramik in Halbleiterqualität für Ihre OEM-Halbfabrikationswerkzeuge und Wafer-Handhabungskomponenten mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbidschichten in der Halbleiterindustrie. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Wafer-Carrier-Halbleitern. Unser Wafer-Carrier-Halbleiter hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Halbleiterabscheidungsprozesse nutzen eine Kombination aus flüchtigen Vorläufergasen, Plasma und hoher Temperatur, um hochwertige Dünnfilme auf Wafer zu schichten. Abscheidungskammern und Wafer-Handhabungswerkzeuge benötigen langlebige Keramikkomponenten, um diesen anspruchsvollen Umgebungen standzuhalten. Semicorex Wafer Carrier Semiconductor ist hochreines Siliziumkarbid, das über hohe Korrosions- und Hitzebeständigkeitseigenschaften sowie eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit verfügt.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Wafer Carrier Semiconductor zu erfahren.

Parameter des Wafer-Träger-Halbleiters

Technische Eigenschaften
Index	Einheit	Wert
Materialname		Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid	Drucklos gesintertes Siliziumkarbid	Rekristallisiertes Siliziumkarbid
Zusammensetzung		RBSiC	SSiC	R-SiC
Schüttdichte	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Biegefestigkeit	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90–100 (1400 °C)
Druckfestigkeit	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Härte	Taste	2700	2800	/
Hartnäckigkeit brechen	MPa m1/2	4.5	4	/
Wärmeleitfähigkeit	W/m.k	95	120	23
Wärmeausdehnungskoeffizient	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Spezifische Wärme	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Maximale Temperatur in der Luft	℃	1200	1500	1600
Elastizitätsmodul	Gpa	360	410	240

Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:

1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll bei niedriger Temperatur freies Si in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC entsteht durch natürliche Schrumpfung bei 2100 Grad.

2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.

3. Unterschiedliche Nutzungsdauer bei unterschiedlichem pH-Wert und unterschiedlicher Temperatur, SSiC ist länger als RBSiC

Merkmale des Wafer-Carrier-Halbleiters

- Geringere Wellenlängenabweichung und höhere Chipausbeute
- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.
- Engere Maßtoleranzen führen zu einer höheren Produktausbeute und niedrigeren Kosten
- Hochreine Graphit- und SiC-Beschichtung für Pinhole-Resistenz und längere Lebensdauer

Verfügbare Formen von Siliziumkarbidkeramik:

● Keramikstab / Keramikstift / Keramikkolben

● Keramikrohr / Keramikbuchse / Keramikhülse

● Keramikring / Keramikscheibe / Keramikabstandshalter

● Keramikscheibe

● Keramikplatte / Keramikblock

● Keramikkugel

● Keramikkolben

● Keramikdüse

● Keramiktiegel

● Andere kundenspezifische Keramikteile