Heim > Produkte > Siliziumkarbid-Keramik > Wafer-Träger > Wafer-Träger-Halbleiter
Wafer-Träger-Halbleiter
  • Wafer-Träger-HalbleiterWafer-Träger-Halbleiter
  • Wafer-Träger-HalbleiterWafer-Träger-Halbleiter

Wafer-Träger-Halbleiter

Semicorex bietet Keramik in Halbleiterqualität für Ihre OEM-Halbfabrikationswerkzeuge und Waferhandhabungskomponenten mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbidschichten in der Halbleiterindustrie. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Wafer Carrier Semiconductor. Unser Wafer Carrier Semiconductor hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

Halbleiterabscheidungsprozesse verwenden eine Kombination aus flüchtigen Vorläufergasen, Plasma und hoher Temperatur, um hochwertige Dünnfilme auf Wafer zu schichten. Beschichtungskammern und Werkzeuge zur Handhabung von Wafern benötigen langlebige Keramikkomponenten, um diesen anspruchsvollen Umgebungen standzuhalten. Semicorex Wafer Carrier Semiconductor ist hochreines Siliziumkarbid, das hohe Korrosions- und Hitzebeständigkeitseigenschaften sowie eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit aufweist.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Wafer Carrier Semiconductor zu erfahren.


Parameter des Wafer-Träger-Halbleiters

Technische Eigenschaften

Index

Einheit

Wert

Material Name

Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid

Drucklos gesintertes Siliziumkarbid

Rekristallisiertes Siliziumkarbid

Komposition

RBSiC

SSiC

R-SiC

Schüttdichte

g/cm3

3

3,15 ± 0,03

2,60-2,70

Biegefestigkeit

MPa (kpsi)

338(49)

380(55)

80-90 (20°C)90-100(1400°C)

Druckfestigkeit

MPa (kpsi)

1120(158)

3970(560)

> 600

Härte

Knoop

2700

2800

/

Hartnäckigkeit brechen

MPa·m1/2

4.5

4

/

Wärmeleitfähigkeit

W/m.k

95

120

23

Der Wärmeausdehnungskoeffizient

10-6.1/°C

5

4

4.7

Spezifische Wärme

Joule/g 0k

0.8

0.67

/

Maximale Temperatur in der Luft

1200

1500

1600

Elastizitätsmodul

Gpa

360

410

240


Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:

1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll freies Si bei niedriger Temperatur in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC wird durch natürliches Schrumpfen bei 2100 Grad gebildet.

2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.

3. Unterschiedliche Nutzungszeiten bei unterschiedlichen pH-Werten und Temperaturen, SSiC ist länger als RBSiC


Merkmale des Wafer-Träger-Halbleiters

- Geringere Wellenlängenabweichung und höhere Chipausbeute
- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.
- Engere Maßtoleranzen führen zu einer höheren Produktausbeute und niedrigeren Kosten
- Hochreine Graphit- und SiC-Beschichtung für Pinhole-Resistenz und längere Lebensdauer


Verfügbare Formen von Siliziumkarbid-Keramik

â Keramikstab / Keramikstift / Keramikkolben

â Keramikrohr / Keramikbuchse / Keramikhülse

â Keramikring / Keramikscheibe / Keramikabstandshalter

â Keramikscheibe

â Keramikplatte / Keramikblock

â Keramikkugel

â Keramikkolben

â Keramikdüse

â Keramiktiegel

â Andere kundenspezifische Keramikteile




Hot-Tags: Wafer Carrier Semiconductor, China, Hersteller, Lieferanten, Fabrik, kundenspezifisch, Bulk, fortschrittlich, langlebig

Verwandte Kategorie

Anfrage absenden

Bitte zögern Sie nicht, Ihre Anfrage im untenstehenden Formular zu stellen. Wir werden Ihnen innerhalb von 24 Stunden antworten.