Semicorex bietet Keramik in Halbleiterqualität für Ihre OEM-Halbfabrikationswerkzeuge und Waferhandhabungskomponenten mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbidschichten in der Halbleiterindustrie. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Wafer Carrier Semiconductor. Unser Wafer Carrier Semiconductor hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Halbleiterabscheidungsprozesse verwenden eine Kombination aus flüchtigen Vorläufergasen, Plasma und hoher Temperatur, um hochwertige Dünnfilme auf Wafer zu schichten. Beschichtungskammern und Werkzeuge zur Handhabung von Wafern benötigen langlebige Keramikkomponenten, um diesen anspruchsvollen Umgebungen standzuhalten. Semicorex Wafer Carrier Semiconductor ist hochreines Siliziumkarbid, das hohe Korrosions- und Hitzebeständigkeitseigenschaften sowie eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit aufweist.
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Parameter des Wafer-Träger-Halbleiters
Technische Eigenschaften |
||||
Index |
Einheit |
Wert |
||
Material Name |
Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid |
Drucklos gesintertes Siliziumkarbid |
Rekristallisiertes Siliziumkarbid |
|
Komposition |
RBSiC |
SSiC |
R-SiC |
|
Schüttdichte |
g/cm3 |
3 |
3,15 ± 0,03 |
2,60-2,70 |
Biegefestigkeit |
MPa (kpsi) |
338(49) |
380(55) |
80-90 (20°C)90-100(1400°C) |
Druckfestigkeit |
MPa (kpsi) |
1120(158) |
3970(560) |
> 600 |
Härte |
Knoop |
2700 |
2800 |
/ |
Hartnäckigkeit brechen |
MPa·m1/2 |
4.5 |
4 |
/ |
Wärmeleitfähigkeit |
W/m.k |
95 |
120 |
23 |
Der Wärmeausdehnungskoeffizient |
10-6.1/°C |
5 |
4 |
4.7 |
Spezifische Wärme |
Joule/g 0k |
0.8 |
0.67 |
/ |
Maximale Temperatur in der Luft |
℃ |
1200 |
1500 |
1600 |
Elastizitätsmodul |
Gpa |
360 |
410 |
240 |
Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:
1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll freies Si bei niedriger Temperatur in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC wird durch natürliches Schrumpfen bei 2100 Grad gebildet.
2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.
3. Unterschiedliche Nutzungszeiten bei unterschiedlichen pH-Werten und Temperaturen, SSiC ist länger als RBSiC
Merkmale des Wafer-Träger-Halbleiters
- Geringere Wellenlängenabweichung und höhere Chipausbeute
- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.
- Engere Maßtoleranzen führen zu einer höheren Produktausbeute und niedrigeren Kosten
- Hochreine Graphit- und SiC-Beschichtung für Pinhole-Resistenz und längere Lebensdauer
Verfügbare Formen von Siliziumkarbid-Keramik
â Keramikstab / Keramikstift / Keramikkolben
â Keramikrohr / Keramikbuchse / Keramikhülse
â Keramikring / Keramikscheibe / Keramikabstandshalter
â Keramikscheibe
â Keramikplatte / Keramikblock
â Keramikkugel
â Keramikkolben
â Keramikdüse
â Keramiktiegel
â Andere kundenspezifische Keramikteile