Das SiSiC-Waferboot von Semicorex ist die entscheidende Komponente in der Halbleiterindustrie. Es besteht aus hochreiner Siliziumkarbidkeramik mit CVD-Beschichtung. Semicorex kann basierend auf den Kundenbedürfnissen die am besten geeigneten Lösungen anbieten und hat sich von Partnern weltweit qualifiziert.*
Im Wettbewerbsumfeld der Halbleiter- und Solarzellenfertigung ist es von entscheidender Bedeutung, den Durchsatz mit der Langlebigkeit der Komponenten in Einklang zu bringen. UnserSiSiC Wafer Boat sind als „industrielles Arbeitstier“ für den Hochtemperaturofenbetrieb konzipiert. Durch den Einsatz des Reaktionsbindungsverfahrens liefern wir einen Träger, der im Vergleich zu herkömmlichem Quarz und Standardkeramik eine überlegene mechanische Festigkeit und Temperaturwechselbeständigkeit bietet.
Im Gegensatz zu gesintertem SiC, das durch Hochdruck-Pulververfestigung entsteht,SiSiC-Waferboot wird durch Infiltrieren einer porösen Kohlenstoffvorform mit geschmolzenem Silizium hergestellt. Dieser „Reaction Bonding“-Prozess führt zu einem Material, das bei der Herstellung nahezu keine Schrumpfung aufweist, was die Herstellung komplexer, großformatiger Bootsarchitekturen mit unglaublicher Maßgenauigkeit ermöglicht.
Eine der größten Herausforderungen bei der Chargenverarbeitung ist der schnelle „Push-Pull“-Zyklus des Ofens. Quarzträger reißen häufig unter thermischer Belastung. SiSiC verfügt über einen deutlich höheren Bruchmodul (MOR) und eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit. Dadurch können unsere Boote schnellen Temperaturanstiegen standhalten, ohne dass das Risiko eines Strukturversagens besteht, was sich direkt in weniger Ausfallzeiten der Ausrüstung niederschlägt.
Wenn die Wafergröße zunimmt und die Chargen größer werden, um den Durchsatz zu maximieren, erhöht sich das Gewicht des Trägers. Unsere SiSiC-Boote weisen eine außergewöhnliche Kriechfestigkeit auf. Während andere Materialien unter starker Belastung bei 1.250 °C durchhängen oder sich verziehen können, behält SiSiC seine Geometrie bei und stellt so sicher, dass die Parallelität der Waferschlitze über Tausende von Zyklen hinweg perfekt bleibt.
Unsere SiSiC-Boote sind für raue chemische Umgebungen konzipiert. Das Material ist von Natur aus beständig gegen die korrosiven Gase, die in LPCVD- und Diffusionsprozessen verwendet werden. Darüber hinaus wird die Oberfläche behandelt, um sicherzustellen, dass keine Migration von „freiem Silizium“ stattfindet, wodurch eine stabile, saubere Umgebung entsteht, die die elektrische Integrität Ihrer Wafer schützt.
| Eigentum |
SiSiC (reaktionsgebunden) |
Traditioneller Quarz |
Industrieller Nutzen |
| Max. Nutzungstemperatur |
1.350°C – 1.380°C |
~1.100°C |
Höhere Prozessflexibilität |
| Wärmeleitfähigkeit |
> 150 W/m·K |
1,4 W/m·K |
Schnelle, gleichmäßige Erwärmung |
| Elastizitätsmodul |
~330 GPa |
~70 GPa |
Kein Durchhängen bei starker Belastung |
| Porosität |
< 0,1 % |
0% |
Minimale Gasaufnahme |
| Dichte |
3,02 - 3,10 g/cm³ |
2,20 g/cm³ |
Hohe strukturelle Stabilität |
Unsere SiSiC-Wafer-Boote sind mit den weltweit führenden Ofen-OEMs kompatibel, darunter TEL (Tokyo Electron), ASM und Kokusai Electric. Wir bieten maßgeschneiderte Lösungen für:
Horizontale Diffusionsöfen: Langschiffe mit hochpräziser Schlitzung für 150-mm- und 200-mm-Wafer.
Vertikale Ofensysteme: Konstruktionen mit geringer Masse, die den Gasfluss und die thermische Gleichmäßigkeit optimieren.
Produktion von Solar-PV-Zellen: Spezielle SiSiC-Träger, die für die Diffusion von POCl3 in großen Mengen entwickelt wurden und eine 5- bis 10-mal längere Lebensdauer als Quarz bieten.
Experteneinblick: Für Prozesse über 1.380 °C empfehlen wir unsere gesinterte SiC-Linie. Für die überwiegende Mehrheit der Diffusions-, Oxidations- und LPCVD-Schritte bietet SiSiC jedoch das kostengünstigste Verhältnis von Leistung zu Lebensdauer in der Branche.
Materialkompetenz: Für unseren Reaktionsbindungsprozess beziehen wir ausschließlich hochreines Alpha-SiC-Pulver und Silizium in Elektronikqualität.
Präzisionstechnik: Unsere CNC-Schleiffunktionen ermöglichen Schlitztoleranzen von ±0,02 mm und reduzieren so Wafervibrationen und -brüche.
Nachhaltigkeit und ROI: Durch die Umstellung von Quarz auf SiSiC verzeichnen Fabriken aufgrund der deutlich geringeren Austauschhäufigkeit in der Regel eine Reduzierung der jährlichen Ausgaben für Verbrauchsmaterialien um 40 %.
Jedes Boot, das wir versenden, wird von einem Konformitätszertifikat (CoC) und einem vollständigen Maßkontrollbericht begleitet, um sicherzustellen, dass Ihr Prozesskit für die sofortige Installation im Reinraum bereit ist.