Siliziumwafer-Träger

Semicorex bietet Keramik in Halbleiterqualität für Ihre OEM-Halbfabrikationswerkzeuge und Wafer-Handhabungskomponenten mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbidschichten in der Halbleiterindustrie. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Silizium-Wafer-Trägern. Unser Silizium-Wafer-Träger hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Halbleiterabscheidungsprozesse nutzen eine Kombination aus flüchtigen Vorläufergasen, Plasma und hoher Temperatur, um hochwertige Dünnfilme auf Wafer zu schichten. Abscheidungskammern und Wafer-Handhabungswerkzeuge benötigen langlebige Keramikkomponenten, um diesen anspruchsvollen Umgebungen standzuhalten.
Semicorex Silicon Wafer Carrier ist hochreines Siliziumkarbid, das über hohe Korrosions- und Hitzebeständigkeitseigenschaften sowie eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit verfügt.

Parameter des Siliziumwaferträgers

Technische Eigenschaften
Index	Einheit	Wert
Materialname		Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid	Drucklos gesintertes Siliziumkarbid	Rekristallisiertes Siliziumkarbid
Zusammensetzung		RBSiC	SSiC	R-SiC
Schüttdichte	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Biegefestigkeit	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90–100 (1400 °C)
Druckfestigkeit	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Härte	Taste	2700	2800	/
Hartnäckigkeit brechen	MPa m1/2	4.5	4	/
Wärmeleitfähigkeit	W/m.k	95	120	23
Wärmeausdehnungskoeffizient	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Spezifische Wärme	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Maximale Temperatur in der Luft	℃	1200	1500	1600
Elastizitätsmodul	Gpa	360	410	240

Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:

1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll bei niedriger Temperatur freies Si in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC entsteht durch natürliche Schrumpfung bei 2100 Grad.

2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.

3. Unterschiedliche Nutzungsdauer bei unterschiedlichem pH-Wert und unterschiedlicher Temperatur, SSiC ist länger als RBSiC

Merkmale des Siliziumwafer-Trägers

Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass es nicht zu Rissen und Delaminationen kommt.

Verfügbare Formen von Siliziumkarbidkeramik:

● Keramikstab / Keramikstift / Keramikkolben

● Keramikrohr / Keramikbuchse / Keramikhülse

● Keramikring / Keramikscheibe / Keramikabstandshalter

● Keramikscheibe

● Keramikplatte / Keramikblock

● Keramikkugel

● Keramikkolben

● Keramikdüse

● Keramiktiegel

● Andere kundenspezifische Keramikteile