Siliziumkarbid-Wafer-Boot

Semicorex entwickelt Keramik in Halbleiterqualität für Ihre OEM-Halbfabrikationswerkzeuge und Wafer-Handhabungskomponenten. Unser Siliziumkarbid-Wafer-Boot hat einen guten Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

Das Siliziumkarbid-Waferboot von Semicorex zeichnet sich durch eine extrem hohe Reinheit (bis zu 99,99 %), eine hervorragende Plasma- und Hitzebeständigkeit sowie ein begrenztes Partikelvorkommen aus und wird in Teilen von Halbleiterverarbeitungsgeräten, einschließlich Strukturkomponenten und Werkzeugen, verwendet.
Bei Semicorex konzentrieren wir uns auf die Bereitstellung hochwertiger und kostengünstiger Siliziumkarbid-Waferboote. Wir legen großen Wert auf die Kundenzufriedenheit und bieten kostengünstige Lösungen. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden, der qualitativ hochwertige Produkte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unser Siliziumkarbid-Wafer-Boot zu erfahren.

Parameter des Siliziumkarbid-Wafer-Bootes

Technische Eigenschaften
Index	Einheit	Wert
Materialname		Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid	Drucklos gesintertes Siliziumkarbid	Rekristallisiertes Siliziumkarbid
Zusammensetzung		RBSiC	SSiC	R-SiC
Schüttdichte	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Biegefestigkeit	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90–100 (1400 °C)
Druckfestigkeit	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Härte	Taste	2700	2800	/
Hartnäckigkeit brechen	MPa m1/2	4.5	4	/
Wärmeleitfähigkeit	W/m.k	95	120	23
Wärmeausdehnungskoeffizient	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Spezifische Wärme	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Maximale Temperatur in der Luft	℃	1200	1500	1600
Elastizitätsmodul	Gpa	360	410	240

Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:

1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll bei niedriger Temperatur freies Si in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC entsteht durch natürliche Schrumpfung bei 2100 Grad.

2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.

3. Unterschiedliche Nutzungsdauer bei unterschiedlichem pH-Wert und unterschiedlicher Temperatur, SSiC ist länger als RBSiC

Merkmale des Siliziumkarbid-Wafer-Bootes

Überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass es nicht zu Rissen und Delaminationen kommt.