Mit Siliziumkarbid beschichteter Graphitschaft

Wenn es um die Halbleiterfertigung geht, ist der mit Siliziumkarbid beschichtete Graphitzylinder von Semicorex die erste Wahl für außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit. Seine hochwertige SiC-Beschichtung sowie die überlegene Dichte und Wärmeleitfähigkeit sorgen für eine hervorragende Wärmeverteilung und Schutz selbst in den anspruchsvollsten Hochtemperatur- und Korrosionsumgebungen.

Unser mit Siliziumkarbid beschichteter Graphitzylinder sorgt für ein gleichmäßiges thermisches Profil und garantiert so das beste laminare Gasströmungsmuster. Es verhindert, dass Kontaminationen oder Verunreinigungen in den Wafer diffundieren und eignet sich daher ideal für den Einsatz in Reinraumumgebungen. Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten Graphit-Suszeptoren in China, und unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in der Halbleiterindustrie zu werden.

Parameter des mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitzylinders

Merkmale des mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitzylinders

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.