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Mit Siliziumkarbid beschichteter Graphitschaft

Mit Siliziumkarbid beschichteter Graphitschaft

Der mit Siliziumkarbid beschichtete Graphitzylinder von Semicorex ist die perfekte Wahl für Anwendungen in der Halbleiterfertigung, die eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit erfordern. Seine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilungseigenschaften machen es ideal für den Einsatz in LPE-Prozessen und anderen Hochtemperaturumgebungen.

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Produktbeschreibung

Wenn es um die Halbleiterfertigung geht, ist der mit Siliziumkarbid beschichtete Graphitzylinder von Semicorex die erste Wahl für außergewöhnliche Leistung und Zuverlässigkeit. Seine hochwertige SiC-Beschichtung und seine hervorragende Dichte und Wärmeleitfähigkeit bieten eine hervorragende Wärmeverteilung und einen hervorragenden Schutz selbst in den anspruchsvollsten Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen.

Unser mit Siliziumkarbid beschichteter Graphitzylinder sorgt für ein gleichmäßiges thermisches Profil und garantiert das beste laminare Gasströmungsmuster. Es verhindert, dass Kontaminationen oder Verunreinigungen in den Wafer diffundieren, wodurch es ideal für den Einsatz in Reinraumumgebungen ist. Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren in China, und unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in der Halbleiterindustrie zu werden.


Parameter des mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitzylinders

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitrohrs

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.




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