SiC-beschichtete Graphitschale

Die mit SiC beschichtete Graphitschale ist ein hochmodernes Halbleiterteil, das Si-Substraten eine präzise Temperaturkontrolle und stabile Unterstützung während des Silizium-Epitaxiewachstumsprozesses bietet. Semicorex räumt der Kundennachfrage stets höchste Priorität ein und bietet Kunden Kernkomponentenlösungen, die für die Produktion hochwertiger Halbleiter erforderlich sind.

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Produktbeschreibung

Als Hauptkomponente der Epitaxieausrüstung ist dieSiC-beschichtete Graphitschale, wirkt sich direkt auf die Produktionseffizienz, Gleichmäßigkeit und Defektrate des Epitaxieschichtwachstums aus.

Durch Graphitreinigung, Präzisionsbearbeitung und Reinigungsbehandlung kann die Oberfläche des Graphitsubstrats eine hervorragende Ebenheit und Glätte erreichen und so das Risiko einer Partikelverunreinigung erfolgreich vermeiden. Durch chemische Gasphasenabscheidung geht die Oberfläche des Graphitsubstrats eine chemische Reaktion mit dem reaktiven Gas ein, wodurch eine dichte, porenfreie und gleichmäßig dicke Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung entsteht. Von der Substratvorbereitung bis zur Beschichtungsbehandlung erfolgt der gesamte Produktionsprozess in einem Reinraum der Klasse 100, der den für Halbleiter geeigneten Reinheitsstandards entspricht.

SiC-beschichtete Graphitwanne, die aus hochreinem Graphit und SiC-Materialien mit geringer Verunreinigung besteht, weist eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten auf. Dadurch kann die SiC-beschichtete Graphitschale nicht nur Wärme schnell und gleichmäßig übertragen, um die Wachstumsqualität der Epitaxieschicht zu verbessern, sondern auch das Risiko von Beschichtungsablösungen oder Rissen aufgrund von thermischer Belastung wirksam reduzieren. Darüber hinaus ist die gleichmäßige und dichte SiC-Beschichtung beständig gegen hohe Temperaturen, Oxidation und Korrosion und gewährleistet so einen stabilen Betrieb über einen langen Zeitraum unter Hochtemperatur- und Schadgasbedingungen.

Die mit SiC beschichtete Graphitschale ist besser mit Anlagen zur metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) kompatibel. Es wurde sorgfältig dimensioniert und entworfen, um sich an unterschiedliche Prozessparameter und Geräteanforderungen anzupassen. Semicorex besteht stets darauf, unseren geschätzten Kunden professionelle, maßgeschneiderte Dienstleistungen anzubieten, um ihre Anforderungen an verschiedene Größen, Beschichtungsdicken und Oberflächenrauheiten der SiC-beschichteten Graphitwanne genau zu erfüllen.