1x2" Graphit-Wafer-Suszeptoren

Bei der Herstellung von Halbleiterwafern muss die Epitaxieschicht für die anschließende Herstellung von Halbleiterbauelementen auf dem Wafersubstrat aufgewachsen werden. Da der epitaktische Wachstumsprozess sehr empfindlich auf Temperaturschwankungen und Verunreinigungen reagiert, sind die Auswahlmöglichkeiten zuverlässigWafer-Suszeptorensind von entscheidender Bedeutung. Als unverzichtbare tragende Teile im Wafer-Epitaxieprozess sind die Bearbeitungsgenauigkeit, die Wärmemanagementfähigkeit und die Kontaminationsbeständigkeit entscheidende Faktoren für die Erzielung eines qualitativ hochwertigen Wafer-Epitaxiewachstums.

Die Funktionen von Semicorex 1x2"-Graphit-Wafer-Suszeptoren

Die Semicorex 1x2"-Graphit-Wafer-Suszeptoren werden aus ultrafeinem, hochreinem Graphit als Matrix mit einer dichten Siliziumkarbidbeschichtung durch spezielle Verfahren hergestellt und bieten die folgenden Funktionen:

1. Sicherer und veralteter Halt

Semicorex 1x2"GraphitWafer-Suszeptoren zeichnen sich durch Präzisionsbearbeitung und -behandlung aus und liefern eine außergewöhnliche Oberflächenebenheit und Maßgenauigkeit. Dies stellt sicher, dass sie fest in einer geeigneten Position befestigt sind, und bietet eine stabile, flache Stützplattform für das epitaktische Wachstum des Wafers.

2. Präzise gleichmäßige Wärmeverteilung

Mit der hervorragenden Wärmeleitfähigkeit von Graphit- und SiC-Materialien sorgen Semicorex 1x2"-Graphit-Wafer-Suszeptoren für eine schnelle und gleichmäßige Wärmeverteilung über die Halbleitersubstanz. Durch die Minimierung von Temperaturgradienten können Semicorex 1x2"-Graphit-Wafer-Suszeptoren Probleme wie ungleichmäßige Epitaxiequalität und Spannungskonzentration effektiv vermeiden.

Die Vorteile der Semicorex-Siliziumkarbidbeschichtung

1. Hervorragende Korrosionsbeständigkeit

Mit der dichten Siliziumkarbid-Beschichtung versehen, sind Semicorex 1x2"-Graphit-Wafer-Suszeptoren effektiv beständig gegen die meisten Chemikalien und eignen sich daher für Anwendungen unter stark korrosiven Betriebsbedingungen, bei denen das Material häufig korrosiven Gasen und chemischen Dämpfen ausgesetzt ist.

2. Geringe Partikelabgabe

SemicorexSiliziumkarbidbeschichtungweist eine hohe Bindungsstärke mit der Graphitmatrix auf, wodurch das Risiko einer Substratverunreinigung aufgrund von Beschichtungsablösungen aufgrund von Korrosion und Partikelausfällen in Umgebungen mit hoher Korrosion deutlich vermieden werden kann.

3. Zuverlässige Lebensdauer

Obwohl Graphitmatrizen eine hervorragende thermische Stabilität und mechanische Festigkeit aufweisen, ist sie unter den Betriebsbedingungen des Epitaxieprozesses anfällig für Korrosion und Pulverisierung, was die Lebensdauer unbeschichteter Graphitmatrizen erheblich verkürzt. Durch die vollständige Einkapselung der Graphitmatrizen mit dichten SiC-Beschichtungen erreichen unsere 1×2-Zoll-Graphit-Wafer-Suszeptoren eine überragende und zuverlässige Haltbarkeit.

Materialdaten der Semicorex SiC-Beschichtung