Bei der SiC-Beschichtung handelt es sich um eine dünne Schicht auf dem Suszeptor, die im CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) aufgebracht wird. Siliziumkarbid-Material bietet eine Reihe von Vorteilen gegenüber Silizium, darunter die 10-fache elektrische Durchbruchfeldstärke und die 3-fache Bandlücke, was dem Material eine hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, eine ausgezeichnete Verschleißfestigkeit sowie Wärmeleitfähigkeit verleiht.
Semicorex bietet maßgeschneiderten Service und hilft Ihnen bei der Innovation mit Komponenten, die länger halten, Zykluszeiten verkürzen und Erträge verbessern.
Die SiC-Beschichtung bietet mehrere einzigartige Vorteile
Hohe Temperaturbeständigkeit: Der CVD-SiC-beschichtete Suszeptor kann hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C standhalten, ohne dass es zu einer nennenswerten thermischen Beeinträchtigung kommt.
Chemikalienbeständigkeit: Die Siliziumkarbidbeschichtung bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien, darunter Säuren, Laugen und organische Lösungsmittel.
Verschleißfestigkeit: Die SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hervorragende Verschleißfestigkeit und eignet sich daher für Anwendungen mit hohem Verschleiß.
Wärmeleitfähigkeit: Die CVD-SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eignet sich daher für den Einsatz in Hochtemperaturanwendungen, die eine effiziente Wärmeübertragung erfordern.
Hohe Festigkeit und Steifigkeit: Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor verleiht dem Material eine hohe Festigkeit und Steifigkeit und eignet sich daher für Anwendungen, die eine hohe mechanische Festigkeit erfordern.
SiC-Beschichtungen werden in verschiedenen Anwendungen eingesetzt
LED-Herstellung: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor wird aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und chemischen Beständigkeit bei der Herstellung verschiedener LED-Typen verwendet, einschließlich blauer und grüner LEDs, UV-LEDs und Deep-UV-LEDs.
Mobile Kommunikation: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein entscheidender Bestandteil des HEMT zur Vervollständigung des GaN-auf-SiC-Epitaxieprozesses.
Halbleiterverarbeitung: CVD-SiC-beschichtete Suszeptoren werden in der Halbleiterindustrie für verschiedene Anwendungen verwendet, einschließlich Waferverarbeitung und epitaktisches Wachstum.
SiC-beschichtete Graphitkomponenten
Die aus Siliziumkarbid-Beschichtungsgraphit (SiC) hergestellte Beschichtung wird durch ein CVD-Verfahren auf bestimmte Graphitqualitäten hoher Dichte aufgetragen, sodass sie im Hochtemperaturofen mit über 3000 °C in einer inerten Atmosphäre und 2200 °C im Vakuum betrieben werden kann .
Die besonderen Eigenschaften und die geringe Masse des Materials ermöglichen schnelle Aufheizraten, eine gleichmäßige Temperaturverteilung und eine hervorragende Präzision bei der Steuerung.
Materialdaten der Semicorex SiC-Beschichtung
Typische Eigenschaften |
Einheiten |
Werte |
Struktur |
|
FCC-β-Phase |
Orientierung |
Anteil (%) |
111 bevorzugt |
Schüttdichte |
g/cm³ |
3.21 |
Härte |
Vickershärte |
2500 |
Wärmekapazität |
J kg-1 K-1 |
640 |
Wärmeausdehnung 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Elastizitätsmodul |
Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃) |
430 |
Körnung |
μm |
2~10 |
Sublimationstemperatur |
℃ |
2700 |
Biegekraft |
MPa (RT 4-Punkt) |
415 |
Wärmeleitfähigkeit |
(W/mK) |
300 |
Fazit: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein Verbundmaterial, das die Eigenschaften eines Suszeptors und von Siliziumkarbid kombiniert. Dieses Material verfügt über einzigartige Eigenschaften, darunter hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, ausgezeichnete Verschleißfestigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit sowie hohe Festigkeit und Steifigkeit. Diese Eigenschaften machen es zu einem attraktiven Material für verschiedene Hochtemperaturanwendungen, darunter Halbleiterverarbeitung, chemische Verarbeitung, Wärmebehandlung, Solarzellenherstellung und LED-Herstellung.
Der Semicorex SiC-Beschichtungsring ist eine entscheidende Komponente in der anspruchsvollen Umgebung von Halbleiterepitaxieprozessen. Mit unserem unerschütterlichen Engagement, qualitativ hochwertige Produkte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten, sind wir bereit, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.*
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex stellt seinen SiC-Scheibensuszeptor vor, der die Leistung von Geräten für Epitaxie, metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) und schnelle thermische Verarbeitung (RTP) steigern soll. Der sorgfältig konstruierte SiC-Scheibensuszeptor verfügt über Eigenschaften, die überlegene Leistung, Haltbarkeit und Effizienz in Hochtemperatur- und Vakuumumgebungen garantieren.**
WeiterlesenAnfrage absendenDas Engagement von Semicorex für Qualität und Innovation zeigt sich im Segment der SiC-MOCVD-Abdeckungen. Indem es eine zuverlässige, effiziente und qualitativ hochwertige SiC-Epitaxie ermöglicht, spielt es eine entscheidende Rolle bei der Weiterentwicklung der Fähigkeiten von Halbleiterbauelementen der nächsten Generation.**
WeiterlesenAnfrage absendenDas Semicorex SiC MOCVD-Innensegment ist ein unverzichtbares Verbrauchsmaterial für metallorganische chemische Gasphasenabscheidungssysteme (MOCVD), die bei der Herstellung von epitaktischen Siliziumkarbid-Wafern (SiC) verwendet werden. Es ist genau darauf ausgelegt, den anspruchsvollen Bedingungen der SiC-Epitaxie standzuhalten und eine optimale Prozessleistung und hochwertige SiC-Epischichten zu gewährleisten.**
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex SiC ALD Susceptor bietet zahlreiche Vorteile in ALD-Prozessen, darunter Hochtemperaturstabilität, verbesserte Filmgleichmäßigkeit und -qualität, verbesserte Prozesseffizienz und längere Suszeptorlebensdauer. Diese Vorteile machen den SiC-ALD-Suszeptor zu einem wertvollen Werkzeug für die Erzielung leistungsstarker Dünnfilme in verschiedenen anspruchsvollen Anwendungen.**
WeiterlesenAnfrage absendenDer Semicorex ALD Planetary Susceptor ist in ALD-Geräten wichtig, da er rauen Verarbeitungsbedingungen standhält und eine qualitativ hochwertige Filmabscheidung für eine Vielzahl von Anwendungen gewährleistet. Da die Nachfrage nach fortschrittlichen Halbleiterbauelementen mit kleineren Abmessungen und verbesserter Leistung weiter wächst, wird erwartet, dass der Einsatz des ALD Planetary Susceptor in ALD weiter zunehmen wird.**
WeiterlesenAnfrage absenden