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China Siliziumkarbidbeschichtet Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Bei der SiC-Beschichtung handelt es sich um eine dünne Schicht auf dem Suszeptor, die im CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) aufgebracht wird. Siliziumkarbid-Material bietet eine Reihe von Vorteilen gegenüber Silizium, darunter die 10-fache elektrische Durchbruchfeldstärke und die 3-fache Bandlücke, was dem Material eine hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, eine ausgezeichnete Verschleißfestigkeit sowie Wärmeleitfähigkeit verleiht.

Semicorex bietet maßgeschneiderten Service und hilft Ihnen bei der Innovation mit Komponenten, die länger halten, Zykluszeiten verkürzen und Erträge verbessern.


Die SiC-Beschichtung bietet mehrere einzigartige Vorteile

Hohe Temperaturbeständigkeit: Der CVD-SiC-beschichtete Suszeptor kann hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C standhalten, ohne dass es zu einer nennenswerten thermischen Beeinträchtigung kommt.

Chemikalienbeständigkeit: Die Siliziumkarbidbeschichtung bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien, darunter Säuren, Laugen und organische Lösungsmittel.

Verschleißfestigkeit: Die SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hervorragende Verschleißfestigkeit und eignet sich daher für Anwendungen mit hohem Verschleiß.

Wärmeleitfähigkeit: Die CVD-SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eignet sich daher für den Einsatz in Hochtemperaturanwendungen, die eine effiziente Wärmeübertragung erfordern.

Hohe Festigkeit und Steifigkeit: Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor verleiht dem Material eine hohe Festigkeit und Steifigkeit und eignet sich daher für Anwendungen, die eine hohe mechanische Festigkeit erfordern.


SiC-Beschichtungen werden in verschiedenen Anwendungen eingesetzt

LED-Herstellung: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor wird aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und chemischen Beständigkeit bei der Herstellung verschiedener LED-Typen verwendet, einschließlich blauer und grüner LEDs, UV-LEDs und Deep-UV-LEDs.



Mobile Kommunikation: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein entscheidender Bestandteil des HEMT zur Vervollständigung des GaN-auf-SiC-Epitaxieprozesses.



Halbleiterverarbeitung: CVD-SiC-beschichtete Suszeptoren werden in der Halbleiterindustrie für verschiedene Anwendungen verwendet, einschließlich Waferverarbeitung und epitaktisches Wachstum.





SiC-beschichtete Graphitkomponenten

Die aus Siliziumkarbid-Beschichtungsgraphit (SiC) hergestellte Beschichtung wird durch ein CVD-Verfahren auf bestimmte Graphitqualitäten hoher Dichte aufgetragen, sodass sie im Hochtemperaturofen mit über 3000 °C in einer inerten Atmosphäre und 2200 °C im Vakuum betrieben werden kann .

Die besonderen Eigenschaften und die geringe Masse des Materials ermöglichen schnelle Aufheizraten, eine gleichmäßige Temperaturverteilung und eine hervorragende Präzision bei der Steuerung.


Materialdaten der Semicorex SiC-Beschichtung

Typische Eigenschaften

Einheiten

Werte

Struktur


FCC-β-Phase

Orientierung

Anteil (%)

111 bevorzugt

Schüttdichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickershärte

2500

Wärmekapazität

J kg-1 K-1

640

Wärmeausdehnung 100–600 °C (212–1112 °F)

10-6K-1

4.5

Elastizitätsmodul

Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)

430

Körnung

μm

2~10

Sublimationstemperatur

2700

Biegekraft

MPa (RT 4-Punkt)

415

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Fazit: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein Verbundmaterial, das die Eigenschaften eines Suszeptors und von Siliziumkarbid kombiniert. Dieses Material verfügt über einzigartige Eigenschaften, darunter hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, ausgezeichnete Verschleißfestigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit sowie hohe Festigkeit und Steifigkeit. Diese Eigenschaften machen es zu einem attraktiven Material für verschiedene Hochtemperaturanwendungen, darunter Halbleiterverarbeitung, chemische Verarbeitung, Wärmebehandlung, Solarzellenherstellung und LED-Herstellung.






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Die Semicorex-Platte für epitaktisches Wachstum ist ein entscheidendes Element, das speziell für die Feinheiten epitaktischer Prozesse entwickelt wurde. Unser Angebot lässt sich an unterschiedliche Spezifikationen und Vorlieben anpassen und bietet eine individuell zugeschnittene Lösung, die nahtlos zu Ihren individuellen Betriebsanforderungen passt. Wir bieten eine Reihe von Anpassungsoptionen an, von Größenänderungen bis hin zu Variationen in der Beschichtungsanwendung, die uns in die Lage versetzen, ein Produkt zu entwickeln und zu liefern, das in der Lage ist, die Leistung in verschiedenen Anwendungsszenarien zu verbessern. Wir bei Semicorex widmen uns der Herstellung und Lieferung von Hochleistungsplatten für epitaktisches Wachstum, die Qualität mit Kosteneffizienz verbinden.

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Der Semicorex Wafer Carrier für MOCVD, der genau auf die Anforderungen der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) zugeschnitten ist, erweist sich als unverzichtbares Werkzeug bei der Verarbeitung von einkristallinem Si oder SiC für hochintegrierte Schaltkreise. Die Zusammensetzung des Wafer-Trägers für MOCVD zeichnet sich durch beispiellose Reinheit, Beständigkeit gegenüber erhöhten Temperaturen und korrosiven Umgebungen sowie hervorragende Dichtungseigenschaften zur Aufrechterhaltung einer makellosen Atmosphäre aus. Wir bei Semicorex widmen uns der Herstellung und Lieferung leistungsstarker Waferträger für MOCVD, die Qualität mit Kosteneffizienz verbinden.

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Semicorex produziert seit vielen Jahren Siliziumkarbidbeschichtet und ist einer der professionellen Siliziumkarbidbeschichtet Hersteller und Lieferanten in China. Sobald Sie unsere fortschrittlichen und langlebigen Produkte kaufen, die in Großpackungen geliefert werden, garantieren wir die große Menge in schneller Lieferung. Im Laufe der Jahre haben wir unseren Kunden einen maßgeschneiderten Service geboten. Kunden sind mit unseren Produkten und unserem exzellenten Service zufrieden. Wir freuen uns aufrichtig darauf, Ihr zuverlässiger langfristiger Geschäftspartner zu werden! Willkommen, um Produkte aus unserer Fabrik zu kaufen.
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