SiC-Wafer-Schleifplatte

SiC-Wafer-Schleifplatteist ein entscheidender Teil der Oberflächenbearbeitung von Halbleiterwafern. Durch die präzise Formulierung von Siliziumkarbid-Mikropulver und den hochmodernen drucklosen Sinterprozess ermöglicht die SiC-Wafer-Schleifplatte effizientes Schleifen und Präzisionsfinish auf Waferoberflächen und gewährleistet so grundsätzlich die Stabilität und Ausbeute nachfolgender Halbleiterfertigungsverfahren.

Mit der präzisen und effizienten Wafer-Oberflächenbearbeitung als Kernfunktion erreicht die SiC-Wafer-Schleifplatte eine stabile und kontrollierbare Reibung mit der Wafer-Oberfläche. In Kombination mit Schleif- oder Polierflüssigkeiten in bestimmten Anteilen wirkt es synergetisch, um verschiedene durch Vorprozesse verursachte Oberflächenfehler wie Absplitterungen, Mikrorisse und Kantengrate zu beseitigen. Darüber hinaus kann eine präzise Steuerung der Waferdicke und der Gesamtdickenschwankung (TTV) im Mikrometerbereich erreicht werden, wodurch ein hochwertiges Wafersubstrat mit ausgezeichneter Oberflächenqualität und stabilen Dimensionsparametern für nachfolgende Schlüsselprozesse in der Chipherstellung wie Fotolithographie und Ionenimplantation bereitgestellt wird.

Die Hauptleistung:

1.Extreme Härte.

2.Hohe Biegefestigkeit und Elastizitätsmodul.

3.Überlegener Wärmeausdehnungskoeffizient.

4.Hervorragende Wärmeleitfähigkeit.

5. Hervorragende chemische Korrosionsbeständigkeit.

Semicorex bietet unseren geschätzten Kunden hochwertige, maßgeschneiderte Dienstleistungen. Mithilfe fortschrittlicher CNC-Bearbeitungszentren verarbeitet Semicorex sorgfältig und präzise Siliziumkarbidmaterialien, um die SiC-Wafer-Schleifplatte mit spezifischen Abmessungen herzustellen, die auf die Kundenspezifikationen zugeschnitten sind. Um Kunden mit qualitativ hochwertigen Produkten bedienen zu können, muss die SiC-Wafer-Schleifplatte von Semicorex vor Verlassen des Werks strengen Qualitätskontrollen wie Maßhaltigkeit, Festigkeit, Härte und anderen Leistungstests unterzogen werden.