Produktbeschreibung

Die Semicorex-SiC-Waferkassette, auch als gekacheltes Waferboot bekannt, wurde speziell für Oxidations-, Diffusions- und Glühvorgänge bei Temperaturen über 1200 °C entwickelt. Die Kassetten bieten eine erhebliche mechanische Unterstützung sowie Ausrichtung für viele Wafer gleichzeitig während des Einsatzes im Hochtemperaturofen und weisen eine hohe mechanische und Dimensionsstabilität während der thermischen Belastung und danach auf. Die Nachfrage nach hochreinen und thermisch stabilen Materialien für Wafer-Handhabungssysteme steigt, da Halbleitergeräte immer kleiner und leistungsfähiger werden.

Die Kassette besteht aus hochreinemSiliziumkarbidEs gibt auch Beschichtungen, die noch größere Vorteile bieten. SiC weist eine ausgezeichnete Temperaturschock-, Korrosions- und Dimensionsverformungsstabilität auf. SiC verfügt über eine einzigartige Härte, chemische Inertheit und Wärmeleitfähigkeit, sodass es ein ideales Material für diese Prozessumgebung ist. SiC beeinträchtigt im Vergleich zu Quarz- und Aluminiumoxid-Alternativen seine mechanischen und chemischen Eigenschaften bei hohen Verarbeitungstemperaturen nicht, wodurch das Kontaminationsrisiko verringert und die Gleichmäßigkeit des Waferprozesses während der Herstellungsprozesse verbessert wird.

Die ultrahohe Reinheit der SiC-Waferkassette zeigt Widerstand gegen metallische oder ionische Verunreinigungen, die in die Prozesskammer gelangen. etwas, das für eine hohe Reinheit absolut notwendig ist, um die Prozessanforderungen für fortgeschrittene Halbleiterfertigungsprozesse zu erfüllen. Durch die Minimierung von Kontaminationsquellen erhöhen Siliziumkarbidkassetten die Waferausbeute und die Gerätezuverlässigkeit.

Die Präzisionsbearbeitungstechnologie von Semicorex ermöglicht die Herstellung jeder Kassette mit engen Toleranzen, gleichmäßigem Schlitzabstand und paralleler Ausrichtung. Die Präzisionsbearbeitung der Materialien unterstützt ein reibungsloses Be- und Entladen der Wafer, wodurch das Risiko von Kratzern beim Umgang mit Wafern verringert wird. Der präzise Schlitzabstand ermöglicht eine gleichmäßige Temperatur und einen gleichmäßigen Luftstrom über alle Wafer, was die Gleichmäßigkeit der Oxidation und Diffusion fördert und gleichzeitig die Prozessvariabilität verringert.

SiC verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, Dimensionsstabilität und bietet zuverlässige Leistung bei wiederholten Temperaturwechseln. Das Material ist stabil und verzieht oder reißt nicht; Seine hohe Steifigkeit behält die strukturelle Integrität auch bei hohen Temperaturen über lange Zeiträume bei, wodurch die mechanische Belastung der Wafer erheblich verringert wird und gleichzeitig die Wahrscheinlichkeit der Bildung unerwünschter Partikel durch Reibung oder Mikrovibrationen bei der Handhabung begrenzt wird.

Zusätzlich,SiCDie Inertheit gegenüber Chemikalien schützt die Wafer vor Reaktionen mit den Prozessgasen (z. B. Sauerstoff, Wasserstoff, Ammoniak), die typischerweise bei der Verarbeitung auftreten. Die Waferkassetten sind in oxidierenden und nichtoxidierenden Atmosphären stabil und können über eine Reihe von Prozessen wie Oxidation, Diffusion, LPCVD und Tempern in den Ofenarbeitsablauf integriert werden.

SiC verfügt über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, Dimensionsstabilität und bietet zuverlässige Leistung bei wiederholten Temperaturwechseln. Das Material ist stabil und verzieht oder reißt nicht; Seine hohe Steifigkeit behält die strukturelle Integrität auch bei hohen Temperaturen über lange Zeiträume bei, wodurch die mechanische Belastung der Wafer erheblich verringert wird und gleichzeitig die Wahrscheinlichkeit der Bildung unerwünschter Partikel durch Reibung oder Mikrovibrationen bei der Handhabung begrenzt wird.