SiC-Wafer-Bootsträger

In der sich schnell entwickelnden Landschaft der Halbleiterfertigung – insbesondere der Produktion von SiC- und GaN-Leistungsbauelementen für Elektrofahrzeuge, 5G-Infrastruktur und erneuerbare Energien – ist die Zuverlässigkeit Ihrer Wafer-Handling-Hardware nicht verhandelbar. Der SiC-Wafer-Bootsträger von Semicorex stellt den Höhepunkt der Materialtechnik dar und wurde entwickelt, um herkömmliche Quarz- und Graphitkomponenten in Hochtemperatur- und hochreinen Umgebungen zu ersetzen.

Warum Siliziumkarbid die erste Wahl der Branche ist

Da Halbleiterknoten schrumpfen und die Wafergröße auf 200 mm (8 Zoll) zunimmt, werden die thermischen und chemischen Einschränkungen von Quarz zu einem Engpass. Unsere SiC-Wafer-Bootsträger werden unter Verwendung von SiC-Wafer-Bootsträgern hergestelltGesintertes Siliziumkarbidoder CVD-beschichtetes SiC, das eine einzigartige Kombination aus Wärmeleitfähigkeit, mechanischer Festigkeit und chemischer Inertheit bietet.

1. Außergewöhnliche thermische Stabilität

Herkömmliche Materialien leiden häufig unter „Absacken“ oder Verformung, wenn sie den extremen Temperaturen ausgesetzt werden, die für die Diffusion und das Glühen erforderlich sind. Unser SiC-Wafer-Bootsträger behält seine strukturelle Integrität bei Temperaturen über 1.600 °C. Diese hohe thermische Stabilität stellt sicher, dass die Waferschlitze perfekt ausgerichtet bleiben und ein „Rasseln“ oder Blockieren der Wafer während automatisierter Robotertransfers verhindert wird.

2. Hohe Reinheit und geringe Kontamination

In einer Reinraumumgebung sind Partikel der Feind der Ausbeute. Unsere Bootsträger werden einem proprietären CVD-Beschichtungsverfahren (Chemical Vapour Deposition) unterzogen. Dadurch entsteht eine dichte, porenfreie Oberfläche, die als Barriere gegen das Ausgasen von Verunreinigungen wirkt. Mit extrem niedrigen metallischen Verunreinigungen stellen unsere Träger sicher, dass Ihre Wafer – ob Silizium oder Siliziumkarbid – während kritischer Hochtemperaturzyklen frei von Kreuzkontaminationen bleiben.

3. Angepasster CTE (Wärmeausdehnungskoeffizient)

Eine der Hauptursachen für Waferspannungen und Gleitlinien ist eine Diskrepanz in der Wärmeausdehnung zwischen Träger und Wafer. Unsere SiC-Boote sind mit einem CTE konstruiert, der dem von SiC-Wafern sehr nahe kommt. Diese Synchronisierung minimiert die mechanische Belastung während der schnellen Aufheiz- und Abkühlphasen (RTP) und verbessert so die Gesamtausbeute der Chips deutlich.

Wichtige technische Spezifikationen

Anwendungen in der fortgeschrittenen Fertigung

Unsere SiC-Wafer-Bootsträger sind für die anspruchsvollsten „Hot-Zone“-Prozesse in der Fabrik optimiert:

• LPCVD und PECVD: Die hohe Beständigkeit gegenüber chemischen Vorläufern verhindert eine Verschlechterung des Bootes und sorgt so für eine gleichbleibende Lebensdauer des Prozesskits.
• Hochtemperaturoxidation: Im Gegensatz zu Quarz entglast SiC nicht und behält seine Festigkeit über Tausende von Zyklen.
• Diffusion und Tempern: Die hervorragende thermische Gleichmäßigkeit im gesamten Boot stellt sicher, dass jeder Wafer in der Charge das exakt gleiche thermische Profil erfährt.
• SiC-Epitaxie: Speziell entwickelt, um den rauen Umgebungen standzuhalten, die für das Wachstum epitaktischer Schichten auf SiC-Substraten erforderlich sind.

Haltbarkeit trifft auf Kosteneffizienz

Während die Anfangsinvestition in SiC-Hardware höher ist als in Quarz, sind die Gesamtbetriebskosten (TCO) deutlich niedriger. Unsere Träger sind auf Langlebigkeit ausgelegt und halten oft fünf- bis zehnmal länger als herkömmliche Materialien. Dies reduziert die Häufigkeit von Werkzeugausfallzeiten für den Austausch von Teilen und minimiert das Risiko eines katastrophalen Bootsausfalls, der eine ganze Charge teurer Wafer ruinieren könnte.

Vertrauen Sie bei Ihrem Prozess bewährter Technik

Wir verstehen, dass in der Halbleiterindustrie „gut genug“ nie genug ist. Unser Herstellungsprozess umfasst eine 100-prozentige CMM-Maßprüfung und eine hochreine Ultraschallreinigung vor der Vakuumverpackung.

Unabhängig davon, ob Sie eine 200-mm-SiC-Stromversorgungsbaureihe vergrößern oder einen alten 150-mm-Prozess optimieren, steht Ihnen unser Technikteam zur Verfügung, um den Schlitzabstand, die Bootslänge und die Griffkonfigurationen an Ihre spezifischen Ofenanforderungen anzupassen.