SIC-Spannfutter aus poröser Keramik

Mit der Weiterentwicklung der Halbleiterverarbeitung und der steigenden Nachfrage nach elektronischen Komponenten ist der Einsatz ultradünner Wafer immer wichtiger geworden. Im Allgemeinen werden Wafer mit einer Dicke von weniger als 100 μm als ultradünne Wafer bezeichnet. Wenn Wafer jedoch auf weniger als 100 μm verdünnt werden, weisen sie eine erhebliche Sprödigkeit auf und ihre mechanische Festigkeit nimmt anschließend ab, was zu einem hohen Risiko von Waferverwerfungen, -verbiegungen oder sogar -brüchen führt. Aus diesem Grund ist die Entscheidung für die Verwendung von porösen Keramik-Debonding-Chucks von Semicorex SiC eine kluge Entscheidung, denn sie können ultradünne Wafer zuverlässig stützen und schützen, um eine sichere Trennung im Debonding-Prozess zu erreichen.

Die Vorteile der porösen Keramik-Debonding-Spannplatten von Semicorex SiC

1. Außergewöhnliche Materialeigenschaften

Mit einer Mohs-Härte von ca. 9,5, SemicorexDebonding-Spannfutter aus poröser SiC-Keramikzeichnen sich durch eine außergewöhnliche Verschleißfestigkeit aus und halten wiederholten Vakuumadsorptions- und -freisetzungsvorgängen langfristig stand, mit zuverlässiger Haltbarkeit während des Ablöseprozesses.

Darüber hinaus sind die porösen Keramik-Debonding-Chucks von Semicorex SiC aufgrund ihrer hervorragenden Wärmeleitfähigkeit hervorragend für die schnelle Wärmeleitung geeignet, wodurch lokale Überhitzungen wirksam verhindert werden können, die zu einer Verschlechterung oder Beschädigung der Wafer führen können. Sie eignen sich besonders für Debonding-Prozesse bei hohen Temperaturen.

2. Hochleistungsfähige poröse Keramikstruktur

Hergestellt aus hochwertigemSiliziumkarbidDie porösen Keramik-Debonding-Chucks von Semicorex SiC werden durch Hochtemperatursintern zu Pulver verarbeitet und verfügen über zahlreiche miteinander verbundene Mikroporen, die gleichmäßig im Inneren verteilt sind. Mit einer Porosität von 30 (±5) % und einer genau kontrollierten Porengröße zwischen 2 und 25 μm können die porösen Keramik-Debonding-Chucks von Semicorex SiC dafür sorgen, dass ultradünne Wafer während des Debonding-Prozesses gleichmäßig beansprucht werden, wodurch das Risiko von Waferverzug und -bruch erheblich gesenkt wird.

3. Präzise Ebenheitskontrolle

Dank ausgereifter Bearbeitungs- und Oberflächenbehandlungstechnologien erreichen Semicorex SiC-Debonding-Spannfutter aus poröser Keramik eine kontrollierte Parallelität unter 0,02 mm und eine doppelseitige Ebenheit unter 0,02 mm. Diese hervorragende Ebenheit und Parallelität bieten eine stabile und flache Stützplattform für den Debonding-Prozess ultradünner Wafer und gewährleisten so effektiv die Genauigkeit und Zuverlässigkeit des Debonding-Prozesses.

4.Flexible Dimensionsoptionen

Die porösen Keramik-Debonding-Chucks von Semicorex SiC eignen sich gut für die Behandlung von 6-Zoll- und 8-Zoll-Wafern und sind in verschiedenen Standardabmessungen erhältlich, darunter 159 mm Durchmesser × 0,75 mm Dicke, 200 mm Durchmesser × 1 mm Dicke, 204 mm Durchmesser × 1,5 mm Dicke.