Satellitenplatte

Die Semikorex -Satellitenplatte ist während des epitaxialen Wachstumsprozesses ein wichtiger Waferträger, der einheitliche Ablagerung und optimale Prozesseffizienz garantiert. Diese Platte besteht aus Hochpüren-Graphit und mit einer robusten Siliziumcarbidschicht (SIC) und bietet außergewöhnliche thermische Stabilität, chemische Resistenz und mechanische Festigkeit, wodurch ihre Position als unverzichtbare Komponente in der Hochleistungs-Semikonduktorenherstellung festgelegt ist.

Mit einer hohen Purity-Graphitbasis zeichnet sich die Satellitenplatte in thermischer Leitfähigkeit und struktureller Integrität aus. DerSic -BeschichtungSteigert seine Haltbarkeit erheblich, sorgt für Hochtemperaturresistenz, chemische Inertheit und dramatisch reduzierende Partikelerzeugung. Diese leistungsstarke Kombination sorgt dafür, dass die Platte harte Verarbeitungsbedingungen hält und gleichzeitig auf hohem Niveau durchführt. Die Graphitbasis erleichtert die effiziente Wärmeübertragung und sorgt für eine gleichmäßige Temperaturverteilung über den Wafer, während die SIC -Beschichtung vor korrosiven Prozessgasen schützt, die Verunreinigung und die Verlängerung der Lebensdauer verhindern. Darüber hinaus minimiert die SIC-Oberfläche die Partikelfreisetzung, was für die Herstellung von Halbleitern mit hoher Runde entscheidend ist.

Die Satellitenplatte ist speziell für die nahtlose Integration mit Aixtron G5+ -Systemen entwickelt und garantiert eine präzise Positionierung und Rotationsbilanz, die für die Aufrechterhaltung stabiler thermischer Bedingungen und zur Verringerung der Defektraten von entscheidender Bedeutung sind. Die fortschrittliche Materialzusammensetzung des Plattens erweitert nicht nur die Lebensdauer, sondern senkt auch die Betriebskosten erheblich und erhöht die Produktivität der Herstellung.

Die Satellitenplatte wird hauptsächlich im MOCVD -Verfahren (MOCVD) Metall organischer chemischer Dampf verwendet und ist entscheidend für den Anbau von epitaxialen Schichten auf Halbleiterwafern. Es spielt eine Schlüsselrolle bei der Herstellung fortschrittlicher Halbleitergeräte, einschließlich LEDs, SIC- und GaN-basierter Leistungselektronik, photonischen und optoelektronischen Komponenten sowie hochfrequenten HF-Geräten. Durch die Gewährleistung stabiler thermischer Bedingungen und der Minimierung der Kontamination garantiert die Satellitenplatte ein konsequentes epitaxielles Schichtwachstum, was zu einer verbesserten Handhabung von Wafern und höheren Renditen führt. Sein optimiertes Design schützt die Wafer -Unterstützung effizient, reduziert Defekte und stellt die Präzision in der gesamten Halbleiterverarbeitungsstadien sicher.

Die Semikorex -Satellitenplatte dient als wesentliche Komponente für Aixtron G5+ Epitaxy -Reaktoren und bietet eine beispiellose Haltbarkeit, chemische Resistenz und thermische Leistung. Die modernste Materialzusammensetzung und -technik machen es für den Halbleiterherstellungsprozess von entscheidender Bedeutung und stellt die Produktion von hochrangigen und hochwertigen Wafern sicher. Investieren Sie in die Satellitenplatte, um Ihre Halbleiterherstellung zu erhöhen und exzellente epitaxiale Wachstumsprozesse zu erzielen.