Mond der oberen Halbzeit

Semicorex Upper Half Moon ist ein halbkreisförmiger Waferträger, der sorgfältig für epitaxiale Verarbeitungsgeräte entwickelt wurde. Als kritische Suszeptorkomponente im epitaxialen Wachstumsprozess soll dieser Teil die Siliziumwafer während der Hochtemperatur-chemischen Dampfabscheidung (CVD) unterstützen und stabilisieren. Der Mond der oberen Halbzeit kombiniert aus einem Hochpuritätsgrafit und mit einer gleichmäßigen Schicht aus Siliziumcarbid (SIC). Er kombiniert mechanische Robustheit, ausgezeichnete thermische Leitfähigkeit und außergewöhnliche Korrosionsbeständigkeit, um die Anforderungen einer hohen Präzisions-Epitaxie zu erfüllen.

Dieses Produkt leitet seinen Namen von seiner unterschiedlichen Halbmondgeometrie ab, die für bestimmte Rotationsplattformen in Single-Wafer- oder Multi-Wafer-epitaxialen Reaktoren speziell gebaut ist. Seine einzigartige Form erleichtert nicht nur einen gleichmäßigen Gasstrom und die thermische Verteilung, sondern ermöglicht auch eine einfache Integration in bestehende Heiz- und Rotationsbaugruppen. Das halbkreisförmige Design sorgt für eine optimale Waferpositionierung, minimiert die thermische Spannung und spielt eine Schlüsselrolle bei der Erlangung eines gleichmäßigen epitaxialen Filmdicks über die gesamte Waferoberfläche.

Das Produkt der oberen Halbzeit umfasst ein Substrat ultra-feiner Graphit aufgrund der kombinierten Leistungsvorteile einer stabilen Ultra-Feinstruktur bei extrem hohen Temperaturen, gepaart mit Widerstand gegen Versagen über wiederholte Läufe. Zur Ausweitung der Verwendung wurde eine hochreinheit dichte sic -Beschichtung durch chemische Dampfabscheidungstechnologie angewendet, in der das Graphit -Substrat von HCl, Cl₂, Silan und anderen korrosiven Prozessgasen isoliert wurde. Unabhängig davon fördert die SIC -Beschichtung ein dauerhafteres und ausgiebigeres Leben sowohl für das Produkt der oberen Halbzeit als auch für die Teile in ihrer Gesamtheit und senkt sogar die Verunreinigung der Waferumgebung und profitiert letztendlich der Prozessertrag und der Filmqualität.

Die Oberflächenbeschaffung der SIC -Schicht wurde angegeben und ist flach oder glatt, um die konstante Wärmeübertragung auf ein Substrat und eine konstante Filmbildung zu fördern. Darüber hinaus verbessert die SIC -Beschichtung die Beständigkeit des Komponenten zur Erzeugung von Partikeln, was ein Schlüsselfaktor für sensitive Halbleiteranwendungen für Defekte ist. Leistungsparameter, einschließlich sehr geringer Ausgasung und sehr geringer Verformung über 1200 ° C, liefert wirksame Komponenten für sehr lange Betriebszyklen, die die Ausfallzeiten und die Wartungskosten senken.

Die semikorexische obere Halbmond ist in Bezug auf Toleranzen, die Gleichmäßigkeit der Beschichtung und die Materialauswahl unübertroffen. Wir behalten bei jedem Schritt, von der Graphitbearbeitung über die Ablagerung von SIC -Beschichtungen und die endgültige Inspektion, die strenge Qualitätskontrolle beibehalten, um sicherzustellen, dass jede Einheit die strengen Standards erfüllt, die für die Ausrüstung der Halbleiternote erforderlich sind. Darüber hinaus ist unsere Erfahrung mit der Anpassung von Geometrien, Dicken und Oberflächenbehandlungen als auf fast alle Formen von Epitaxienplattformen angewendet.

Der Mond der oberen Halbzeit ist von entscheidender Bedeutung für die Stabilität, die thermische Gleichmäßigkeit und die Kontaminationskontrolle für Silizium oder zusammengesetzte Halbleiterpitaxie. Dementsprechend nutzt Semicorex beispiellose Fachkenntnisse, materielle Technologie und Fertigungskonsistenz, um die Erwartungen der Kunden für zuverlässige Hochleistungs-Anfälligkeitskomponenten zu erreichen.