SIC -Epitaxialmodul

Das semicorex -epitaxiale Modul, das aus der SIC -beschichteten Graphit mit Premium -Grad hergestellt wurde, ist Teil der epitaxialen Ausrüstung, die den schwierigsten Elementen von Silicium Carbid (SIC) -Pitaxieprozessen standhalten. Dieses Modul, das für hohe Temperaturen in den Anwendungen der chemischen Dampfabscheidung (CVD) bestimmt ist, ist eine wichtige Komponente, um die Stabilität und Unterstützung von Wafern während des epitaxialen Wachstums von hochwertigem SIC zu demonstrieren. Das Semicorex -SIC -Modul ist ein effektives Basismaterial für eine zuverlässige und wiederholbare Produktion von epitaxiellem Material, das mit Qualitäts -SIC -Spezifikationen übereinstimmt.

Das Semicorex -SIC -Modul ist ein Graphit -Substrat, das mit einer dichten und gleichmäßigen Schicht aus Siliziumkarbidbezüge bedeckt ist und auch in den schwersten Prozesschemien gegen Partikelkontamination und Korrosion resistent ist. Die SIC -Beschichtung verbietet die Kontamination und Erosion des zugrunde liegenden Graphits und bietet eine wesentliche mechanische Unterstützung und den Schutz von bis zu 1600 ° C. Das SIC -Modul kombiniert die Stärke und Beachtbarkeit von Graphit mit dem Gesamtverschleiß, Korrosion und chemisch resistenten Eigenschaften von Siliziumcarbid, was es in einer harten epitaxialen Atmosphäre am besten für die Haltbarkeit des Moduls am besten geeignet ist.

Das Modul ist so konzipiert, dass er ein einheitliches thermisches Profil liefert und gleichzeitig die dimensionale Änderung während des gesamten Wärmeleitprozesses minimiert. Diese thermische Gleichmäßigkeit und Stabilität ist für die Aufrechterhaltung der Wafer -Flachheit und der Epitaxie -Gleichmäßigkeit von wesentlicher Bedeutung. Wenn der Wafer eine stabile Position mit hoher thermischer Leitfähigkeit beibehält, sind die thermischen Bedingungen während des Wafers während der Verarbeitung einheitlich, was die Ertrag, Kristallqualität und Ausfallzeiten im Zusammenhang mit Teilfehler oder Kontamination positiv beeinflusst.

Das SIC-epitaxiale Modul ist mit mehreren epitaxialen Reaktoren kompatibel, darunter Heißwand und Kaltwand und hat die Möglichkeit, sich an Form und Abmessungen anzupassen, um spezifische Reaktorlayouts und Kundenanforderungen gerecht zu werden. Das sic epitaxiale Modul ist gut geeignet, aber nicht auf 4-Zoll-, 6-Zoll- und aufkommende 8-Zoll-SIC-Epitaxienanwendungen geeignet. Aufgrund der hohen Reinheit und der optimierten Geometrie des sic -epitaxialen Moduls wird physikalische Interferenzen in seiner Auswirkung auf die Dynamik der Gasfluss und die thermischen Gradienten minimiert, die ein stärker kontrolliertes Wachstum der epitaxialen Schicht unterstützen.

Die sic epitaxialen Module von Semicorex repräsentieren das hochwertigste kontrollierte Stück in der exzentrischen Baugruppe. Zusätzlich zu den hohen Qualitätskontrollprotokollen verwendet Semicorex die neuesten Beschichtungsmethoden, um einheitliche, dichte und niedrig ausgebrochene SIC-Filme anzuwenden. Semicorex hat eine lange Geschichte von Hochleistungs -Keramikbeschichtungen und Graphitbearbeitung identifizierenden Prozessvorteilen, die die bestmögliche Lebensdauer, Konsistenz und Prozessstabilität von Stapel zu Charge bieten.

Im sich schnell entwickelnden Bereich von SIC-Leistungsgeräten, in denen die Materialqualität die Geräteleistung direkt beeinflusst, ist das epitaxiale Modul nicht nur ein Verbrauchsmaterial, sondern ein kritischer Enabler. Das mit SIC beschichtete Graphit-Epitaxialmodul von Semicorex bietet Kunden eine robuste und zuverlässige Lösung für Kunden, die die Grenzen der Effizienz, Ertrag und Kosteneffizienz in der SIC-Epitaxie überschreiten möchten.