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SiC-Diffusionsboot

SiC-Diffusionsboot

Mit hochwertigen Materialeigenschaften bietet Semicorex SiC Diffusion Boat optimale Funktionalität über ein breites Spektrum an Betriebsparametern: Härte, Belastbarkeit sowie thermische und chemische Beständigkeit usw. Diese Materialwahl ist entscheidend für die Reduzierung von Kontaminationsrisiken, den Schutz von Wafern und die Haltbarkeit Anspruchsvolle Bedingungen in Halbleiterfertigungsprozessen. Wir bei Semicorex widmen uns der Herstellung und Lieferung leistungsstarker SiC-Diffusionsboote, die Qualität mit Kosteneffizienz verbinden.**

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Produktbeschreibung

Hier ist ein detaillierter Blick auf die Vorteile von SiC Diffusion Boat:


Strukturelle Stabilität und thermische Beständigkeit: Semicorex SiC-Diffusionsboote bieten außergewöhnliche thermische Stabilität und Dimensionsintegrität bei hohen Temperaturen, was sie für den Einsatz in Hochtemperaturverarbeitungs- und Wärmebehandlungsanwendungen äußerst vorteilhaft macht.


Hervorragende Korrosionsbeständigkeit: Das SiC-Diffusionsboot weist eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit auf und gewährleistet eine längere Leistung unter rauen chemischen und Umweltbedingungen.


Hochreines Material: Das SiC-Diffusionsboot wird aus einer hochreinen Matrix und einem Siliziumkarbidfilm hergestellt, wodurch das Eindringen von Verunreinigungen wirksam verhindert und die Kontamination im Herstellungsprozess reduziert wird. Diese hohe Reinheit trägt wesentlich zur Steigerung der Produktqualität bei.


Geringe Dichte: Das SiC-Diffusionsboot besitzt im Vergleich zu vielen anderen Materialien eine relativ geringe Dichte, wodurch es leicht und bei der Handhabung und Verarbeitung leicht zu handhaben ist.


Vielseitige Anwendung: Das SiC-Diffusionsboot eignet sich gut für kritische tragende Komponenten in Photovoltaik- und Halbleitergeräten, insbesondere bei Wafer-Handhabungsprozessen.


Verwendung in vertikalen Halbleiteröfen: Das SiC-Diffusionsboot von Semicorex wird hauptsächlich in vertikalen Halbleiteröfen für Hochtemperaturoxidations- und Glühprozesse eingesetzt. Diese Anwendung unterstreicht ihre entscheidende Rolle bei der Erleichterung dieser spezifischen Halbleiterherstellungsverfahren.


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