SiC-beschichtete Planetensuszeptoren

Mit SiC beschichtete Planetensuszeptoren von Semicorex sind unverzichtbare Stützkomponenten für das Halbleiter-Epitaxiewachstum in Aixtron G2-Geräten, in denen sie Wafer sicher stützen und sich in einer Planetenbewegung drehen können. Auf diese Weise können eine präzise thermische Gleichmäßigkeit und eine gleichmäßige Gasverteilung über die Waferoberfläche erfolgreich erreicht werden, was zu einer epitaktischen Schichtabscheidung von höchster Qualität auf Wafern führt.

Vorteile von Semicorex SiC-beschichteten Planetensuszeptoren

1. Multi-Wafer-Taschendesign

Semicorex SiC-beschichtetPlanetensuszeptorenzeichnen sich durch eine gleichmäßige Verteilung mehrerer Wafertaschen mit genau kontrollierten Abmessungen aus. Diese Wafertaschen sind in der Lage, die Wafersubstrate während des epitaktischen Wachstumsprozesses festzuhalten, wodurch durch unerwünschte Bewegungen der Wafersubstrate verursachte epitaktische Prozessschwankungen wirksam minimiert werden können. Darüber hinaus ermöglicht dieses Multi-Wafer-Taschendesign die gleichzeitige epitaktische Abscheidung mehrerer Wafer-Substrate in einem einzigen Prozessdurchlauf, wodurch die Gesamteffizienz des epitaktischen Wachstumsprozesses erheblich verbessert wird.

2. Optimierte Anordnung der Gasdurchflusslöcher

Semicorex verfügt über einen sorgfältig konstruierten Satz GasströmungskanäleSiC-beschichtetPlanetensuszeptoren, die die Optimierung der Gasströmungsdynamik und der thermischen Gleichmäßigkeit über die Waferoberfläche während des gesamten Epitaxieprozesses verfeinern. Dieses durchdachte Design ermöglicht eine genaue Kontrolle der Gasdurchflussrate und -verteilung in der Reaktionskammer, was für die Erzielung hochwertiger Dünnfilme, gleichmäßiger Schichtdicken und zuverlässiger Gesamtleistung des Geräts unerlässlich ist.

3. Ultrahohe Sauberkeit

Semicorex SiC-beschichtete Planetensuszeptoren werden aus hochreinen Materialien und extrem niedrigen Verunreinigungsgraden hergestellt und erfüllen die strengen Reinheitsanforderungen der Halbleiterfertigung vollständig. Sie minimieren effektiv die Waferkontamination durch metallische Ausgasungen, selbst unter den für Epitaxieprozesse typischen Hochtemperatur- und Korrosionsbedingungen.

4. Langlebige Lebensdauer

Die Qualitätskontrolle von Semicorex beginnt mit unserer strengen Auswahl der Rohstoffe. SiC-beschichtete Planetensuszeptoren werden präzisionsgefertigt aus Graphit und Siliziumkarbid in Halbleiterqualität hergestellt und bieten eine hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit, sodass sie den anspruchsvollen Hochtemperatur- und hochkorrosiven epitaktischen Betriebsbedingungen perfekt standhalten. Mit diesen hervorragenden Materialeigenschaften können SiC-beschichtete Planetensuszeptoren von Semicorex ihre gleichbleibende Leistung und strukturelle Integrität beibehalten und Oberflächenschäden und Leistungseinbußen in Reaktionskammern mit hoher Temperatur und hoher Korrosion vermeiden, wodurch sich die Lebensdauer von SiC-beschichteten Planetensuszeptoren erheblich verlängert.