SiC-beschichteter Kristallwachstumssuszeptor

Mit seinem hohen Schmelzpunkt, seiner Oxidationsbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit ist der SiC-beschichtete Kristallwachstumssuszeptor von Semicorex die ideale Wahl für den Einsatz in Einkristallwachstumsanwendungen. Seine Siliziumkarbid-Beschichtung sorgt für hervorragende Ebenheit und Wärmeverteilungseigenschaften und macht es zur idealen Wahl für Umgebungen mit hohen Temperaturen.

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Produktbeschreibung

Der Semicorex SiC-beschichtete Kristallwachstumssuszeptor ist dank seiner außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilungseigenschaften die perfekte Wahl für die Bildung epitaktischer Schichten auf Halbleiterwafern. Seine hochreine SiC-Beschichtung bietet hervorragenden Schutz selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion.
Unser SiC-beschichteter Kristallwachstumssuszeptor ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren SiC-beschichteten Kristallwachstumssuszeptor zu erfahren.

Parameter des SiC-beschichteten Kristallwachstumssuszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des SiC-beschichteten Kristallwachstumssuszeptors

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.