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SiC-beschichteter LPE-Kristallwachstumssuszeptor

SiC-beschichteter LPE-Kristallwachstumssuszeptor

Mit seinem hohen Schmelzpunkt, seiner Oxidationsbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit ist der Semicorex SiC-beschichtete LPE-Kristallwachstumssuszeptor die ideale Wahl für den Einsatz in Einkristallwachstumsanwendungen. Seine Siliziumkarbidbeschichtung bietet hervorragende Ebenheits- und Wärmeverteilungseigenschaften, was es zur idealen Wahl für Umgebungen mit hohen Temperaturen macht.

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Produktbeschreibung

Der Semicorex SiC-beschichtete LPE-Kristallwachstumssuszeptor ist dank seiner außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilungseigenschaften die perfekte Wahl für die Bildung epixialer Schichten auf Halbleiterwafern. Seine hochreine SiC-Beschichtung bietet hervorragenden Schutz selbst in den anspruchsvollsten Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen.

Unser SiC-beschichteter LPE-Kristallwachstumssuszeptor wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren SiC-beschichteten LPE-Kristallwachstumssuszeptor zu erfahren.


Parameter des SiC-beschichteten LPE-Kristallwachstumssuszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des SiC-beschichteten LPE-Kristallwachstumssuszeptors

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.






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