Der Semicorex-Graphitsuszeptor mit SiC-Beschichtung ist eine wesentliche Komponente, die für Siliziumepitaxieprozesse in Applied Materials- und LPE-Einheiten (Liquid Phase Epitaxy) entwickelt wurde. Dieser Suszeptor besteht aus hochwertigem Graphitmaterial, das mit Siliziumkarbid (SiC) beschichtet ist, und gewährleistet überlegene Leistung und Langlebigkeit in Halbleiterfertigungsumgebungen. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Die SiC-Beschichtung auf dem Graphit-Suszeptor mit SiC-Beschichtung dient mehreren Zwecken. Erstens sorgt es für eine verbesserte thermische Stabilität und ermöglicht so eine präzise Kontrolle der Temperaturgradienten während epitaktischer Wachstumsprozesse. Diese Stabilität ist entscheidend für die Erzielung gleichmäßiger und hochwertiger Siliziumschichten in Halbleiterwafern. Die SiC-Beschichtung des Graphit-Suszeptors mit SiC-Beschichtung bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen chemische Korrosion und Temperaturschocks und schützt so die Integrität des Suszeptors auch unter anspruchsvollen Prozessbedingungen. Diese Haltbarkeit führt zu einer längeren Betriebslebensdauer und reduzierten Ausfallzeiten und trägt letztendlich zu einer höheren Produktivität und Kosteneffizienz von Halbleiterfertigungsanlagen bei.
Das Trommeldesign des Graphit-Suszeptors mit SiC-Beschichtung erleichtert das effiziente Be- und Entladen von Wafern und optimiert so den Durchsatz bei Epitaxieprozessen. Darüber hinaus handelt es sich beim Graphit-Suszeptor mit SiC-Beschichtung um ein kundenspezifisches Produkt, das an die spezifischen Anforderungen und Vorlieben von Halbleiterherstellern angepasst werden kann und so die Kompatibilität mit verschiedenen Gerätekonfigurationen und Prozessparametern gewährleistet.