Fasssuszeptor mit SiC-Beschichtung

Der Semicorex Barrel Susceptor mit SiC-Beschichtung ist eine hochmoderne Lösung zur Steigerung der Effizienz und Präzision von Silizium-Epitaxieprozessen. Dieser mit viel Liebe zum Detail gefertigte Barrel Susceptor mit SiC-Beschichtung ist auf die anspruchsvollen Anforderungen der Halbleiterfertigung zugeschnitten, dient als optimaler Waferhalter und erleichtert die nahtlose Übertragung von Wärme auf Wafer. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Unser Barrel Susceptor mit SiC-Beschichtung besteht aus hochwertigem isostatischem Graphit, der für seine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und Haltbarkeit bekannt ist, und garantiert zuverlässige Leistung und Langlebigkeit in den anspruchsvollsten Umgebungen. Darüber hinaus verfügt der Barrel Susceptor mit SiC-Beschichtung über eine spezielle Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung, die seine thermische Stabilität erhöht und eine gleichmäßige Wärmeverteilung über die Waferoberfläche gewährleistet.

Das tonnenförmige Design unseres Barrel Susceptors mit SiC-Beschichtung bietet beispiellose Vielseitigkeit und eignet sich perfekt für die Integration mit Applied Material- und LPE-Einheiten. Seine innovative Konfiguration optimiert den epitaktischen Wachstumsprozess und sorgt bei jeder Verwendung für konsistente und qualitativ hochwertige Ergebnisse.

Hauptmerkmale des Semicorex Barrel Susceptor mit SiC-Beschichtung:

Die isostatische Graphitkonstruktion sorgt für außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und Haltbarkeit.

Die Siliziumkarbid-Beschichtung (SiC) erhöht die thermische Stabilität und fördert eine gleichmäßige Wärmeverteilung.

Das tonnenförmige Design bietet Vielseitigkeit und Kompatibilität mit Applied Material- und LPE-Einheiten.

Maßgeschneidert für die spezifischen Anforderungen von Silizium-Epitaxieprozessen und garantiert optimale Leistung und Zuverlässigkeit.