Wafer-Akzeptor

Der Semicorex Wafer Susceptor wird fachmännisch aus Graphit gefertigt und mit Siliziumkarbid (SiC) beschichtet, um den anspruchsvollen Bedingungen der modernen Halbleiterfertigung gerecht zu werden.

Bei Epitaxieprozessen ist die Aufrechterhaltung einer stabilen und kontrollierten Umgebung unbedingt erforderlich. Der Wafer-Suszeptor dient als grundlegende Plattform, auf der Wafer während der Abscheidung platziert werden, und erfüllt präzise Anforderungen an Temperaturgleichmäßigkeit, chemische Inertheit und mechanische Festigkeit, um hochwertige Epitaxieschichten zu erzielen.

Die Wahl von Graphit als Basismaterial für den Wafer-Suszeptor basiert auf seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und seinen mechanischen Eigenschaften. Die Fähigkeit von Graphit, hohen Temperaturen standzuhalten und gleichzeitig die strukturelle Integrität aufrechtzuerhalten, ist in den Hochtemperaturumgebungen von Epitaxiereaktoren von entscheidender Bedeutung. Darüber hinaus gewährleistet die Wärmeleitfähigkeit von Graphit eine effiziente Wärmeverteilung über den Wafer und verringert so das Risiko von Temperaturgradienten, die zu Defekten in der Epitaxieschicht führen könnten.

Um die Leistung des Wafer-Suszeptors zu verbessern, wird fachmännisch eine Siliziumkarbid-Beschichtung (SiC) auf die Graphitbasis aufgetragen. SiC ist ein äußerst langlebiges Material mit hervorragender chemischer Beständigkeit und eignet sich daher ideal für den Einsatz in Halbleiterumgebungen, in denen häufig reaktive Gase vorhanden sind. Die SiC-Beschichtung bildet eine Schutzbarriere, die den Graphit vor möglichen chemischen Reaktionen schützt und so die Langlebigkeit des Wafer-Suszeptors gewährleistet und eine saubere Umgebung im Reaktor aufrechterhält.

Der Semicorex Wafer Susceptor aus SiC-beschichtetem Graphit ist eine unverzichtbare Komponente in Halbleiterepitaxieprozessen. Durch die Kombination der thermischen und mechanischen Eigenschaften von Graphit mit der chemischen und thermischen Stabilität von Siliziumkarbid ist es ideal für die hohen Anforderungen der modernen Halbleiterfertigung geeignet. Das Einzelwafer-Design bietet eine präzise Kontrolle über den Epitaxieprozess und trägt so zur Produktion hochwertiger Halbleiterbauelemente bei. Dieser Suszeptor stellt sicher, dass Wafer mit äußerster Sorgfalt und Präzision gehandhabt werden, was zu überlegenen Epitaxieschichten und leistungsstärkeren Halbleiterprodukten führt.