Waferhalter

Der Semicorex-Waferhalter ist raffiniert konstruiert und verfügt über einen Kern aus hochreinem Graphit, der sorgfältig mit Siliziumkarbid (SiC) beschichtet ist, um den anspruchsvollen Anforderungen von Geräten für die Flüssigphasenepitaxie (LPE) gerecht zu werden. Seine Konstruktion und Materialauswahl sind von entscheidender Bedeutung für die Aufrechterhaltung der Integrität von Wafern während der Hochtemperaturprozesse, die bei der Halbleiterfertigung auftreten.

Der SiC-beschichtete Graphit-Waferhalter weist eine hervorragende Verschleißfestigkeit auf, eine entscheidende Eigenschaft für die Aufrechterhaltung der präzisen Abmessungen und Oberflächenqualität, die für eine optimale Waferhandhabung erforderlich sind. Bei LPE-Prozessen ist die Integrität der Oberfläche des Waferhalters von größter Bedeutung, da jede Verschlechterung oder Unebenheit zu Defekten im Wafer führen kann, was zu geringeren Erträgen und mehr Abfall führt. Die SiC-Beschichtung stellt sicher, dass der Waferhalter über wiederholte Zyklen eine glatte, stabile Oberfläche behält und trägt so zur Gesamtzuverlässigkeit und Konsistenz des Epitaxieprozesses bei.

Darüber hinaus verbessert die SiC-Beschichtung die thermische Leistung des Wafer Holders. Die hohe Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid gewährleistet eine gleichmäßige Wärmeverteilung über den Wafer während des Epitaxieprozesses und ist entscheidend für die Vermeidung von Wärmegradienten, die zu Verformungen oder Rissen der Wafer führen könnten. Dies garantiert, dass die Endprodukte den strengen Qualitätsstandards entsprechen, die in der Halbleiterfertigung erforderlich sind. Durch die Kombination der inhärenten thermischen Eigenschaften von Graphit mit den zusätzlichen Vorteilen der SiC-Beschichtung entsteht ein Waferhalter, der den anspruchsvollsten thermischen Umgebungen standhält.

Das Design des Wafer-Halters ist für den Einsatz in LPE-Geräten optimiert. Der Waferhalter ist präzise bearbeitet, um Wafer sicher aufzunehmen und das Risiko von Bewegungen oder Fehlausrichtungen während des Epitaxieprozesses zu minimieren. Diese Präzision ist von entscheidender Bedeutung, da bereits die kleinste Verschiebung der Waferposition zu einer ungleichmäßigen Abscheidung führen und die Leistung der herzustellenden Halbleiterbauelemente beeinträchtigen kann. Der SiC-beschichtete Graphit-Waferhalter sorgt für die nötige Stabilität und sorgt dafür, dass die Wafer während des gesamten Prozesses in der richtigen Position bleiben.

                                                        LEP-Struktur, von LPE