SiC-Zylinder für die Siliziumepitaxie

Der Semicorex SiC-Zylinder für die Siliziumepitaxie besteht aus Graphitmaterial, das mit Siliziumkarbid (SiC) beschichtet ist. Diese einzigartige Konstruktion gewährleistet eine hervorragende Beständigkeit gegen Temperaturschocks und chemische Zersetzung, verlängert die Lebensdauer des Suszeptors und sorgt für eine hohe Prozesszuverlässigkeit.

Die fortschrittliche SiC-Beschichtung auf dem SiC-Zylinder für die Siliziumepitaxie sorgt für eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilung und fördert gleichmäßige Temperaturprofile im gesamten Suszeptor. Dies verbessert die Prozesskontrolle, minimiert thermische Gradienten und sorgt für ein gleichmäßiges epitaktisches Schichtwachstum, was zu hochwertigen Siliziumfilmen mit außergewöhnlicher Gleichmäßigkeit und Reinheit führt.

Unser SiC-Zylinder für die Siliziumepitaxie kann an spezifische Anforderungen und Vorlieben angepasst werden. Von Größenanpassungen bis hin zu Beschichtungsdickenvariationen bieten wir Flexibilität im Design, um verschiedene Prozessparameter zu berücksichtigen und die Leistung für bestimmte Anwendungen zu optimieren.

Unser SiC-Zylinder für die Siliziumepitaxie bietet Zuverlässigkeit und Langlebigkeit und reduziert Ausfallzeiten und Wartungskosten, die mit häufigem Austausch verbunden sind. Seine robuste Konstruktion und außergewöhnliche Leistung tragen zu einer verbesserten Prozesseffizienz bei und steigern letztendlich die Produktivität und Kosteneffizienz von Halbleiterfertigungsbetrieben.