SiC-beschichteter Graphit-Fass-Suszeptor

Wenn Sie nach einem Hochleistungs-Graphit-Suszeptor für den Einsatz in Halbleiterfertigungsanwendungen suchen, ist der SiC-beschichtete Graphit-Zylinder-Suszeptor von Semicorex die ideale Wahl. Seine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilungseigenschaften machen es zur ersten Wahl für zuverlässige und konstante Leistung in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen.

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Produktbeschreibung

Der SiC-beschichtete Graphit-Zylindersuszeptor von Semicorex ist die perfekte Wahl für Anwendungen in der Halbleiterfertigung, die eine außergewöhnliche Wärmeverteilung und Wärmeleitfähigkeit erfordern. Seine hochreine SiC-Beschichtung und die überlegene Dichte sorgen für hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und sorgen so für zuverlässige und konstante Leistung selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen.

Unser SiC-beschichteter Graphit-Fass-Suszeptor wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren SiC-beschichteten Graphit-Zylindersuszeptor zu erfahren.

Parameter des SiC-beschichteten Graphit-Fass-Suszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des SiC-beschichteten Graphit-Fass-Suszeptors

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.