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SiC-beschichteter Graphitrohr-Suszeptor

SiC-beschichteter Graphitrohr-Suszeptor

Wenn Sie nach einem Hochleistungs-Graphit-Suszeptor für Anwendungen in der Halbleiterfertigung suchen, ist der SiC-beschichtete Semicorex-Graphit-Fass-Suszeptor die ideale Wahl. Seine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilungseigenschaften machen es zur ersten Wahl für eine zuverlässige und beständige Leistung in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen.

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Produktbeschreibung

Der Semicorex SiC-beschichtete Graphitrohr-Suszeptor ist die perfekte Wahl für Anwendungen in der Halbleiterfertigung, die eine außergewöhnliche Wärmeverteilung und Wärmeleitfähigkeit erfordern. Die hochreine SiC-Beschichtung und die überlegene Dichte bieten hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und gewährleisten eine zuverlässige und konsistente Leistung selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen.

Unser SiC-beschichteter Graphitfass-Suszeptor wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren SiC-beschichteten Graphitrohr-Suszeptor zu erfahren.


Parameter des SiC-beschichteten Graphitfass-Suszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des SiC-beschichteten Graphitrohr-Suszeptors

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.






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