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SiC-beschichteter Graphit-Fass-Suszeptor

SiC-beschichteter Graphit-Fass-Suszeptor

Wenn Sie nach einem Hochleistungs-Graphit-Suszeptor für den Einsatz in Halbleiterfertigungsanwendungen suchen, ist der SiC-beschichtete Graphit-Zylinder-Suszeptor von Semicorex die ideale Wahl. Seine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilungseigenschaften machen es zur ersten Wahl für zuverlässige und konstante Leistung in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen.

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Produktbeschreibung

Der SiC-beschichtete Graphit-Zylindersuszeptor von Semicorex ist die perfekte Wahl für Anwendungen in der Halbleiterfertigung, die eine außergewöhnliche Wärmeverteilung und Wärmeleitfähigkeit erfordern. Seine hochreine SiC-Beschichtung und die überlegene Dichte sorgen für hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und sorgen so für zuverlässige und konstante Leistung selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen.

Unser SiC-beschichteter Graphit-Fass-Suszeptor wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren SiC-beschichteten Graphit-Zylindersuszeptor zu erfahren.


Parameter des SiC-beschichteten Graphit-Fass-Suszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC-β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickershärte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J kg-1 K-1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegekraft

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)

430

Wärmeausdehnung (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des SiC-beschichteten Graphit-Fass-Suszeptors

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.






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