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SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für die Wafer-Epitaxie

Der Semicorex SiC-beschichtete Zylindersuszeptor für die Waferepitaxie ist dank seiner außergewöhnlich flachen Oberfläche und der hochwertigen SiC-Beschichtung die perfekte Wahl für Einkristallwachstumsanwendungen. Sein hoher Schmelzpunkt, seine Oxidationsbeständigkeit und seine Korrosionsbeständigkeit machen es zur idealen Wahl für den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion.

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Produktbeschreibung

Suchen Sie einen Graphitsuszeptor mit außergewöhnlicher Wärmeverteilung und Wärmeleitfähigkeit? Dann sind Sie beim Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor für die Wafer-Epitaxie genau richtig. Er ist mit hochreinem SiC beschichtet und bietet eine hervorragende Leistung bei Epitaxieprozessen und anderen Halbleiterfertigungsanwendungen.
Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für die Waferepitaxie hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

Parameter des SiC-beschichteten Zylindersuszeptors für die Waferepitaxie

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des SiC-beschichteten Zylindersuszeptors für die Waferepitaxie

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.

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