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SiC-beschichteter Trommelsuszeptor für LPE-Wachstum

SiC-beschichteter Trommelsuszeptor für LPE-Wachstum

Mit seinem hohen Schmelzpunkt, seiner Oxidationsbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit ist der Semicorex SiC-beschichtete Barrel-Suszeptor für LPE-Wachstum die perfekte Wahl für den Einsatz in Einkristall-Wachstumsanwendungen. Seine Siliziumkarbidbeschichtung bietet außergewöhnliche Ebenheits- und Wärmeverteilungseigenschaften und gewährleistet eine zuverlässige und konsistente Leistung selbst in den anspruchsvollsten Hochtemperaturumgebungen.

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Produktbeschreibung

Der SiC-beschichtete Semicorex Barrel Susceptor für LPE-Wachstum ist ein hochwertiges Graphitprodukt, das mit hochreinem SiC beschichtet ist und speziell für LPE-Prozesse und andere Halbleiterfertigungsanwendungen entwickelt wurde. Seine außergewöhnliche Dichte und Wärmeleitfähigkeit bieten hervorragende Wärmeverteilung und Schutz in Umgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns auf die Bereitstellung hochwertiger, kostengünstiger SiC-beschichteter Fass-Suszeptoren für das LPE-Wachstum, wir priorisieren die Kundenzufriedenheit und bieten kostengünstige Lösungen. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden, der qualitativ hochwertige Produkte und einen außergewöhnlichen Kundenservice liefert.


Parameter des SiC-beschichteten Barrel-Suszeptors für das LPE-Wachstum

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des SiC-beschichteten Barrel-Suszeptors für das LPE-Wachstum

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.




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